Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- The Electrodes are Isolated from Case
- High Input Impedance
- Enhancement-Mode
- High Speed :
- tf=0.5us (Max.)
- trr=0.5us (Max.)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 4.0V (Max.)
- Includes a Complete Half Bridge in
- One Package
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 100A/1200V/2U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 100A 1200V DUAL |
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Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
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