Features | Aplicaciones |
- SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED IGBT MODULE
- Features
- The Collector is Isolated from Ground
- High DC Current Gain :
- hfe = 100(Min.) (IC=30A)
- Low Saturation Voltage:
- VCE(sat)=2V (Max.) (IC=30A)
- High Speed : tf=2us (Max.) (IC=30A)
| - Applications
- High Power Switching
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 30A/600V/1U |
Toshiba * Transistor Type : TRANSISTOR 30A 400V SINGLE |
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