Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- The Electrodes are Isolated from Case
- High Input Impedance
- Includes a Complete Half Bridge in
- One Package
- Enhancement-Mode
- High Speed :
- tf=0.30us (Max.) (IC=50A)
- trr=0.15us (Max.) (IF = 50A)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC=50A)
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 50A/600V/2U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 50A 600V DUAL |
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