Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- Integrates inverter, brake power circuits
- & control circuits (IGBT drive units,
- protection units for over-current,
- under-voltage & over-temperature)
- in one package
- The electrodes are isolated from case
- High speed type IGBT :
- VCE(sat) = 3.5 V (Max.)
- toff = 2.5 us (Max.)
- trr = 0.21 us (Max.)
- Outline : TOSHIBA 2-136A1A
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 100A/1200V/7U |
Toshiba * Intelligent Power Module (IPM) Type : IPM, 7-PACK, 1200V, 100A |
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Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
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