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MG200Q2YS11

112,88 $
Sin impuestos

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG200Q2YS11

200A/600V/2U

No identificado

Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High Input Impedance
  • High Speed :
  • tf=0.5us (Max.) trr=0.5us (Max.)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • Includes a Complete Half Bridge in One Package
  • The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
MG200Q2YS11

Referencias específicas

MPN
MG200Q2YS11
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