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MG50Q6ES41
270,38 $
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MG50Q6ES41
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Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- The Electrodes are Isolated from Case
- 6 IGBTs are Built Into 1 Package
- Enhancement-Mode
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 4.0V (Max.)
- High Speed :
- tf = 0.5us (Max.)
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
Toshiba Transistor Module
Toshiba
MG50Q6ES41
IGBT 50A 1200V SIX-PACK
MG50Q6ES41
Referencias específicas
- MPN
- MG50Q6ES41
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