CM200DY-12H
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CM200DY-12H

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MODULOS IGBT

Última actualización

DatasheetCM200DY-12H

200A/600V/2U

MITSUBISHI

Delivery time : 1-2 semanas.

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

El CM200DY-12H es un módulo de potencia dual con transistores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de grado rudo industrial, diseñado y fabricado en Japón por Mitsubishi Electric.

Este robusto componente de estado sólido es un bloque de fuerza monolítico de alto rendimiento. Su función principal en la planta es actuar como un interruptor electrónico de alta potencia y ultra alta velocidad, encargado de conmutar corrientes masivas de cientos de amperios para modular y controlar el giro de motores eléctricos trifásicos grandes a través de variadores de frecuencia (VFD), servodrivers de gran capacidad o inversores industriales.

1. Desglose del Código de Modelo (Nomenclatura Mitsubishi)

Cada sección grabada en la carcasa plástica del módulo define su topología de silicio, amperaje y umbral de aislamiento:

CM: Identifica la familia de módulos IGBT estándar de Mitsubishi Electric.

200: Especifica la corriente nominal de diseño. Indica una capacidad de conducción continua de hasta 200 Amperios (A) operando a temperaturas normales de la placa.

DY: Define la topología del circuito interno. Las letras DY significan de forma estricta Configuración de Medio Puente (Half-Bridge / Dual Topology). Contiene dos IGBTs conectados en serie en un solo bloque para controlar una de las fases de salida.

12: Especifica el voltaje de ruptura térmica. En la nomenclatura clásica de Mitsubishi, este número se multiplica por 100 para obtener el voltaje real, lo que indica un límite de 1200 Voltios (1.2 kV). Es apto para operar en redes industriales de 440V, 460V y 480V CA.

H: Indica la serie o generación de tecnología de silicio (en este caso, celdas de alta velocidad y bajas pérdidas por conmutación).

2. Datos Eléctricos y Especificaciones de Fuerza Más Importantes

Las especificaciones técnicas del chip de silicio de Mitsubishi definen las capacidades de corte en el inversor:

Voltaje Colector-Emisor Máximo (Vces): 1200 V (Voltios). Es el límite de bloqueo que tolera el transistor cuando está en estado OFF antes de sufrir una ruptura por arco interno.

Corriente de Colector Continua (Ic): 200 A (Amperios) manteniendo la base a una temperatura controlada de 25°C, o aproximadamente 150A a 80°C continuos en régimen de trabajo pesado en la planta.

Corriente de Pico Transitoria (Icrm): Capaz de soportar pulsos de corriente de arranque accidentales de hasta 400 A durante fracciones de milisegundo.

Voltaje de Saturación Colector-Emisor (Vce(sat)): Típicamente entre 2.1V y 2.8V. Es la caída de voltaje inevitable que sufre el IGBT cuando está completamente encendido (ON), la cual se disipa por completo en forma de calor hacia el disipador de aluminio.

Diodos de Libre Circulación Integrados (Free-Wheel Diodes): Cada uno de los dos IGBTs tiene un diodo de silicio de alta velocidad conectado en paralelo inverso. Estos diodos son críticos para atrapar y extinguir de forma segura las corrientes inductivas inversas masivas generadas por el devanado de cobre del motor eléctrico al momento de apagar el transistor.

3. Topología de Circuito Interno y Distribución de Terminales

Al observar el módulo CM200DY-12H desde la parte superior, el bloque aloja una arquitectura de medio puente configurada para armar una de las fases del motor:

Terminal de Fuerza C1 (Colector 1): Se conecta al riel positivo de corriente directa (DC+) proveniente del banco de capacitores del variador de frecuencia.

Terminal de Fuerza C2E1 (Colector 2 / Emisor 1): Es el punto intermedio del medio puente. De aquí viaja el cable de fuerza grueso directamente hacia uno de los tres bornes del motor eléctrico (Fase U, V o W).

Terminal de Fuerza E2 (Emisor 2): Se conecta al riel negativo de corriente directa (DC-) del banco de capacitores.

Pines Pequeños Superiores (Pines de Control): Destinados a conectar la tarjeta electró

Aplications

Debido a su capacidad de 200A y 1200V, este módulo de Mitsubishi es la refacción principal en la etapa de potencia de:

Variadores de Frecuencia de Mediano y Gran Caballaje (VFDs): Módulos inversores de salida de marcas como Yaskawa, Siemens, ABB, Fuji o Mitsubishi encargados de controlar motores eléctricos trifásicos en molinos, bombas de agua y ventiladores de tiro forzado.

Inversores de Energía Solar y Sistemas de Respaldo (UPS): Sistemas encargados de rectificar, regular e inyectar energía a gran escala en plantas automatizadas.

Fuentes de Poder para Soldadura Industrial y Hornos de Inducción: Modulación de altas frecuencias para el tratamiento térmico de metales en plantas metalúrgicas.

Powerex IGBT

Powerex

CM200DY-12H

IGBT 200A 600V DUAL

MITSUBISHI
CM200DY-12H

Referências específicas

MPN
CM200DY-12H
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