SKT1200-18E
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SKT1200/18E

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SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE

Última actualización

DatasheetSKT1200/18E

1200A/1800V/1U

SEMIKRON

Delivery time : 1-2 semanas.

Alternativas del producto : ST1230C18K0L

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

El SKT1200/18E es un tiristor de control de fase de potencia extrema (SCR) diseñado por la firma alemana Semikron para aplicaciones industriales pesadas de rectificación, conmutación y control de energía en redes eléctricas.

Este semiconductor está construido en un encapsulado hermético de tipo cápsula o disco (press-pack). Al carecer de terminales soldados internos, depende por completo de una prensa mecánica externa para lograr una unión óptima, lo que permite una disipación térmica sumamente eficiente por ambas caras (double-side cooling). Dentro de la familia SKT1200, la variante 18E es la que ofrece el mayor nivel de aislamiento y bloqueo de voltaje, lo que la vuelve ideal para entornos con alta presencia de picos transitorios o líneas de alimentación de media tensión.

Parámetros Eléctricos Importantes

Este modelo destaca por su excepcional capacidad para bloquear voltajes de gran magnitud y conducir corrientes masivas de forma continua:

Voltaje Reverso Máximo Repetitivo (Vrrm) y de Bloqueo Directo (Vdrm): 1800 Voltios (V) (indicado por el código 18 en su nomenclatura). Es el límite de tensión que el tiristor puede contener en estado de apagado sin sufrir una ruptura interna.

Corriente Media en Estado de Conducción (It av): 1200 Amperios (A) medidos continuamente bajo una temperatura de carcasa controlada de 85 °C (asociado al código 1200).

Corriente RMS en Estado de Conducción (It rms): Hasta 2300 Amperios (A) empleando sistemas de refrigeración por agua o disipadores de aluminio forzado por ambas caras.

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (Itsm): Capacidad para resistir un cortocircuito transitorio masivo de hasta 24,500 Amperios (24.5 kA) en un pulso de 10 milisegundos (a una frecuencia de 50 Hz).

Velocidad Crítica de Elevación de Voltaje (dv/dt): 1000 Voltios por microsegundo, lo que le otorga una alta inmunidad contra disparos falsos causados por ruidos, armónicos o conmutaciones bruscas en la red.

Corriente de Disparo de Compuerta Mínima (Igt): Hasta 250 miliamperios (mA) a una temperatura ambiente de 25 °C para asegurar la transición completa al estado de conducción.

Dimensiones Físicas y Montaje Mecánico

El factor de forma de disco plano está diseñado específicamente para resistir toneladas de presión constante, eliminando la resistencia térmica de contacto:

Tipo de Encapsulado: Cápsula cerámica hermética estándar de Semikron (referenciada comúnmente bajo la geometría de carcasa TO-200AD o similares).

Diámetro Total Exterior: Aproximadamente 73 a 75 milímetros (mm).

Diámetro de las Superficies de Contacto Útiles (Ánodo/Cátodo): Cerca de 47 a 50 mm.

Espesor o Altura Total del Disco: Aproximadamente 26 mm.

Fuerza de Sujeción Mecánica Requerida: Para asegurar que la oblea de silicio interna no tenga huecos de aire y soporte la expansión térmica, se debe aplicar una fuerza de compresión externa calibrada mediante abrazaderas pesadas (clamps) de entre 22 y 28 kilonewtons (kN) (lo que equivale a aplicar entre 2.2 y 2.8 toneladas de presión métrica).

Conexiones e Interfaz de Control

La arquitectura de este tiristor distribuye la densidad de corriente de manera radial para evitar fallas por estrés térmico:

Estructura del Semiconductor: Oblea monolítica de silicio de gran diámetro con una disposición de cuatro capas semiconductoras dopadas alternadamente (P-N-P-N).

Terminales de Fuerza Principales: Las dos caras circulares planas de metal pulido actúan directamente como el Ánodo (lado inferior) y el Cátodo (lado superior). Las barras colectoras de cobre liso de la instalación se prensan directamente contra estas superficies.

Conexión de Control (Compuerta/Gate): Dispone de un cable flexible con terminal tipo faston o un pin metálico que sobresale de la banda aislante de cerámica central. Internamente cuenta con una geometría de compuerta amplificadora (amplifying gate) que aprovecha la propia energía de la línea de fuerza para propagar el encendido por todo el silicio en pocos microsegundos.

Aplications

Debido a su colosal capacidad combinada de 1800 V y 1200 A, el Semikron SKT1200/18E es una pieza fundamental en:

Rectificadores Controlados de Alta Potencia: Puentes de tiristores utilizados en subestaciones de soldadura industrial pesada, plantas de electrólisis química para producción de cloro o aluminio, y sistemas de tracción eléctrica.

Arrancadores Suaves de Motores (Soft Starters): Control de arranque y parada progresiva en motores trifásicos gigantescos utilizados en la industria minera, molinos de cemento, bandas transportadoras pesadas y estaciones de bombeo de agua residual.

Controladores de Velocidad para Motores de CD (DC Drives): Regulación precisa de velocidad y torque para motores de corriente directa de gran caballaje en trenes de laminación de acero, grúas portuarias y plantas papeleras.

Sistemas de Calefacción por Inducción Electromagnética: Regulación del paso de energía en hornos de fundición de metales y tratamientos térmicos industriales de gran escala.

Interruptores de Estado Sólido de Corriente Alterna (AC Breakers): Reemplazo de contactores electromecánicos mecánicos para conmutar de forma rápida y libre de arcos eléctricos cargas inductivas o resistivas masivas en la red.

Semikron Phase Control SCRs, SKT1200 Series

Semikron

SKT1200/18E

SCR, TO-200AD, 1800V, 1200A ; Package Style; TO-200AD

Vrrm (volts); 1800 Volts

Vdrm (volts); 1800 Volts

It (rms) Amps; 2800 Amps

It (avg) Amps; 1200 Amps

Itsm Amps; 30000 Amps

di/dt (A/microseconds); 125

dv/dt (V/microseconds); 1000

I2T@50Hz (A2Sec); 4500000

Vtm (volts); 1.65 Volts

tq (microseconds); 250 MicroSeconds

Irrm Peak (mA); 100 MilliAmps

Idrm Peak (mA); 100 MilliAmps

Igt (mA); 250 MilliAmps

Vgt (volts); 3 Volts

Puck Size (h x dia.) in.; 1x3

Junction Temp.; 257 Degrees F

Mounting Force; 22~25 kN

RoHS; Yes

Diag. No.; SEKG_SCR_DIAG_B14

SEMIKRON
SKT1200/18E

Referências específicas

MPN
SKT1200/18E
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