• On request

20DL2CZ51A

7,88 $
steuerfrei

DIODO HIPERFRED EPITAXIAL

Última actualización

Datasheet20DL2CZ51A

20A 200V

TOSHIBA

Delivery time : 1-2 SEMANAS

Menge
On request

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

El 20DL2CZ51A es un arreglo de diodos de alta eficiencia (High Efficiency Diode Stack) de montaje pasante, diseñado y fabricado en Japón por Toshiba.

Este componente aloja internamente dos diodos interconectados en un encapsulado de tres pines. Su función principal en los tableros de control y fuentes de poder es actuar como un rectificador secundario ultra-rápido, convirtiendo corrientes alternas de alta frecuencia en corriente directa con mínimas pérdidas térmicas.

1. Desglose Técnico de Especificaciones (Datos de Placa)

Las clasificaciones grabadas en el chasis de silicio definen los límites de seguridad en el banco de trabajo:

Configuración Interna (Center-Tapped): Los dos diodos están configurados eléctricamente con sus cátodos unidos en el centro (Cátodo Común). Cuenta con dos pines de Ánodo independientes en los extremos y un pin central de salida que actúa como el Cátodo compartido.

Corriente de Salida Rectificada (Io): Capaz de entregar un flujo continuo de hasta 20 Amperios (A) en total (o 10 Amperios por cada diodo individual), siempre que esté acoplado de forma correcta a su respectiva disipación de calor.

Voltaje Pico de Bloqueo Inverso (VRRM): Clasificado para soportar un voltaje inverso máximo de 200 Voltios (V). Es ideal para trabajar en los rieles de salida de baja a mediana tensión comunes en la industria.

Tiempo de Recuperación Ultra-Rápido (trr): Presenta un tiempo máximo de recuperación de apenas 35 nanosegundos (ns). Esta velocidad milimétrica le permite conmutar a frecuencias muy elevadas sin sufrir calentamiento destructivo por pérdidas de conmutación.

Caída de Voltaje Directo (Vf): Registra una caída de tensión típica de tan solo 0.98 Voltios a plena carga, optimizando la eficiencia de la fuente de poder.

Encapsulado TO-3P(N)IS: Chasis plástico de tres terminales pasantes para soldar en tarjeta (Through-Hole). Cuenta con una pestaña de montaje integrada con aislamiento eléctrico de fábrica, permitiendo atornillarlo de forma directa al disipador de aluminio sin necesidad de usar micas transparentes aislantes.

Aplications

Debido a su combinación de 20A, 200V y velocidad de 35ns, este módulo Toshiba es la refacción estándar en:

Fuentes de Poder Conmutadas (SMPS): Etapa de rectificación de salida secundaria en fuentes de alimentación destinadas a PLCs, PCs industriales y pantallas de operación de maquinaria.

Convertidores y Choppers de Corriente Directa (DC-DC Converters): Diodo de salida encargado de filtrar el riel de potencia regulado antes de enviarlo a los circuitos lógicos del tablero.

Sistemas de Carga de Baterías de Respaldo: Rectificador en tarjetas electrónicas de control destinadas a la gestión de bancos de baterías críticos.

20DL2CZ51A

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
20DL2CZ51A
Kommentare (0)
Aktuell keine Kunden-Kommentare