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IGBT - PIM

Última actualización

Datasheet7MBR75SB060-50

6A/900V/1U

FUJI ELECTRIC

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • Silicon N-Channel MOS FET
  • Low on-resistance
  • High speed switching
  • Low drive current
  • No secondary breakdown
  • Suitable for switching regulator and DC-DC converter

Aplications

  • Applications
  • High speed power switching
7MBR75SB060-50

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
7MBR75SB060-50
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