MCD95-18IO1B

El MCD95-18io1B (o MCD95-18IO1B) de IXYS Corporation / Littelfuse (familia TO-240AA Dual Thyristor/Diode Modules) es un módulo de potencia híbrido semiconductor tiristor-diodo en configuración de medio puente (Thyristor/Diode Module / Half-Controlled Phase-Leg), diseñado para aplicaciones de rectificación semicontrolada en redes eléctricas trifásicas exigentes, arrancadores suaves (soft starters) para motores de corriente alterna, convertidores para motores de CC, fuentes de alimentación industriales y control de potencia térmica por modulación de fase.

Fabricado en una carcasa estándar internacional JEDEC TO-240AA con placa base aislada mediante sustrato cerámico de alúmina (Al2O3 DBC) para montaje directo sobre disipador térmico, incorpora chips planares pasivados con un tiristor de control de fase y un diodo rectificador de potencia conectados en serie / cátodo común. Soporta una tensión repetitiva máxima de bloqueo en estado inverso y desactivado reforzada de 1800 V, corriente nominal en conducción de 116 A (ITAV a 64 °C / 95 A a 85 °C) con corriente eficaz IT(RMS) de hasta 180 A, aislamiento galvánico de 3600 VAC, terminales principales de potencia roscados métricos M5 cautivos y pines gemelos (twin pins) para puerta y cátodo auxiliar en versión 1B para conexión rápida.

Specs

Fabricante: IXYS Corporation (Littelfuse Inc.)

Modelo / Referencia: MCD95-18io1B (MCD95-18IO1B)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111706 / Módulos de tiristor-diodo / Power Semiconductor Modules)

Familia / Serie: Serie MCD / TO-240AA Thyristor/Diode Modules

Tipo de Componente: Módulo híbrido tiristor-diodo de potencia (Thyristor / Diode Module)

Configuración Interna: 1 Tiristor + 1 Diodo en serie / rama de medio puente (cátodo común)

Tipo de Montaje: Fijación mediante 2 tornillos sobre disipador térmico con placa base de cobre aislada

Desglose de la Nomenclatura

MC: Módulo semiconductor de potencia IXYS (Module Controlled)

D: Configuración mixta de rama tiristor-diodo (Thyristor-Diode)

95: Clase de corriente nominal media de aprox. 95 A (a Tc = 85 °C)

-18: Tensión asignada repetitiva de pico de 1800 V (18 x 100 V)

io1B: Configuración de terminales (conexiones principales estándar M5 con pines dobles para puerta y cátodo auxiliar)

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Repetitiva de Pico en Bloqueo (VDRM / VRRM): 1800 V

Tensión no Repetitiva de Pico (VDSM / VRSM): 1900 V

Corriente Nominal Media Directa (ITAV / IFAV): 116 A (a Tc = 64 °C) / 95 A (a Tc = 85 °C)

Corriente Eficaz Nominal (ITRMS / IFRMS): 180 A

Corriente de Sobretensión no Repetitiva (ITSM / IFSM): Aprox. 2250 A (pulso sinusoidal de 10 ms a Tj = 125 °C)

Valor Integral de Corriente (I²t): Aprox. 25,000 A²s (a 10 ms, Tj = 125 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 3600 VAC (50/60 Hz, 1 segundo) / 3000 VAC (1 minuto)

Tasa Crítica de Subida de Tensión (dv/dt): Mínimo 1000 V/µs (a Tj = 125 °C)

Tasa Crítica de Subida de Corriente (di/dt): 150 A/µs (servicio repetitivo)

Características de Disparo de Puerta (Gate)

Tensión de Disparo de Puerta (VGT): Menor o igual a 2.5 V (a Tj = 25 °C)

Corriente de Disparo de Puerta (IGT): Aprox. 100 mA a 150 mA (a Tj = 25 °C)

Tensión de No Disparo de Puerta (VGD): 0.25 V (a Tj = 125 °C)

Pérdida Máxima de Potencia en Puerta (PGM): 10 W (pico transitorio)

Características Eléctricas en Conducción

Tensión Directa en Conducción del Tiristor (VT): Típico 1.45 V a 1.6 V (a IT = 300 A, Tj = 25 °C)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típico 1.40 V a 1.55 V (a IF = 300 A, Tj = 25 °C)

Corriente Inversa y de Fuga de Bloqueo (IDRM / IRRM): Menor o igual a 5 mA a 10 mA (a VDRM / VRRM, Tj = 125 °C)

Propiedades Térmicas y Mecánicas

Formato de Encapsulado: Estándar industrial JEDEC TO-240AA

Dimensiones Físicas: Aprox. 92 mm (largo) x 20 mm (ancho) x 30 mm (alto)

Sustrato Cerámico: Alúmina (Al2O3) con placa base de cobre unida por unión directa (DBC)

Terminales de Potencia: Bornes con tornillos métricos M5 cautivos

Terminales de Control: Pines dobles (Gate-Cathode twin pins) para conexión por enchufe rápido

Par de Apriete al Disipador (Tornillos M5): 4.0 N·m a 5.0 N·m

Par de Apriete de Bornes de Potencia (Tornillos M5): 2.5 N·m a 4.0 N·m

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.28 °C/W por rama

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Peso Aproximado: Aprox. 100 g a 120 g

Normativas y Homologaciones

Aislamiento Eléctrico: Reconocido bajo normativa UL (archivo UL E72873)

Conformidad Medioambiental: Marcado CE, directiva RoHS

Puentes rectificadores semicontrolados para redes trifásicas industriales de 400 V a 690 VAC con alto margen de sobretensión.

Arrancadores suaves de estado sólido (Soft Starters) para motores de inducción de media y alta potencia.

Convertidores y reguladores de campo/armadura en motores de CC.

Regulación de temperatura por ángulo de fase en hornos industriales y procesos de tratamiento térmico.

Cargadores de baterías de gran capacidad y fuentes conmutadas industriales.