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1MBI600LP-060-02

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MODULOS IGBT

Última actualización

Datasheet1MBI600LP-060-02

600V / 600V / 1U

FUJI ELECTRIC

Delivery time : 1-2 SEMANAS

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(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

El 1MBI600LP-060-02 es un módulo de transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potencia, diseñado y fabricado en Japón por Fuji Electric, uno de los líderes mundiales indiscutibles en semiconductores de estado sólido para la industria pesada.

Este componente es un semiconductor híbrido masivo diseñado en un encapsulado modular tipo bloque. Su función principal en la planta es actuar como un interruptor electrónico de alta potencia y conmutación ultra-rápida, permitiendo que las tarjetas de control de baja potencia gobiernen e inviertan corrientes masivas de cientos de amperios para el control de motores grandes o inversores de energía.

1. Desglose Técnico de la Nomenclatura (Límites de Operación)

Cada sección del código de ingeniería grabado en la carcasa plástica del módulo Fuji define un límite operativo estricto que el departamento de mantenimiento debe respetar:

1MBI (Configuración del Módulo): Indica que aloja un IGBT único independiente (Single IGBT / 1-Pack) junto con su respectivo diodo de marcha libre (Free-Wheeling Diode) integrado en antiparalelo dentro del mismo bloque.

LP (Estilo de Encapsulado / Serie): Define la serie geométrica del chasis de Fuji Electric, caracterizada por un perfil de baja inductancia parásita interna (Low Profile), terminales de cobre robustas alineadas en la superficie superior y una base metálica de cobre aislada.

-060 (Clasificación de Voltaje de Bloqueo): Multiplicado por un factor de diseño de 10, define que el módulo soporta una tensión máxima entre Colector y Emisor de 600 Voltios (V). Esta clasificación lo hace el componente ideal para operar de forma segura en inversores o variadores alimentados por redes trifásicas industriales de 220V a 240V CA (donde el Bus de CD rectificado oscila entre los 310 VCD y 400 VCD).

-02 (Variante de Silicio / Generación): Identifica la tecnología de fabricación del chip de silicio interno (usualmente ligado a la tecnología Trench-Gate o generaciones específicas que reducen las pérdidas de energía por conmutación y disminuyen la temperatura de operación).

2. Configuración y Asignación de Terminales en el Bloque

El módulo cuenta con terminales principales de tornillo para la etapa de fuerza y pines más delgados o terminales de inserción rápida para la etapa de control lógico:

Terminales de Fuerza (C1, E2): Terminales masivas de cobre destinadas a conectarse a las barras colectoras (Busbars) de fuerza. C1 corresponde al Colector y E2 corresponde al Emisor de fuerza del transistor.

Terminales de Control (G, E): Pines o terminales de menor tamaño destinadas a conectarse directamente a la tarjeta excitadora de compuerta (Gate Driver Board). G es la Compuerta (Gate) encargada de recibir el pulso de voltaje de control (usualmente de +15VCD para encender y -5VCD a -15VCD para apagar), y E es el Emisor de señal que sirve como el retorno común de bajo voltaje para el circuito de disparo.

Aislamiento Dieléctrico de la Base: La placa metálica de cobre inferior está completamente aislada de los circuitos activos de silicio internos por una barrera cerámica interna de alta transferencia térmica, soportando más de 2500 VCA de aislamiento. Esto permite atornillar múltiples módulos sobre el mismo bloque de aluminio disipador de la máquina sin generar cortocircuitos entre las fases.

Aplications

Debido a su masiva capacidad de 600A y su rápida velocidad de conmutación en alta tensión, este módulo Fuji Electric es la refacción estándar soldada y atornillada en:

Variadores de Frecuencia de Gran Capacidad (VFD): Formando parte del puente inversor de salida trifásico que controla la velocidad y torque de motores síncronos y de inducción de más de 100 HP a 150 HP.

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS) de Grado Industrial: Inversores centralizados de gran tamaño para centros de datos críticos, hospitales o subestaciones de control.

Fuentes de Poder para Calentamiento por Inducción y Soldadura: Etapas de troceado de alta frecuencia utilizadas en hornos de inducción medianos o inversores para soldadura robótica de alta velocidad.

Choppers de Frenado Dinámico Pesado: Módulos de conmutación encargados de desviar la energía de retorno de los motores grandes hacia las resistencias de frenado durante las desaceleraciones bruscas.

1MBI600LP-060-02

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
1MBI600LP-060-02
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