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BSM50GB170DN2
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BSM50GB170DN2
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- IGBT Power Module
- Half-bridge
- Including fast free-wheeling diodes
- Package with insulated metal base plate
- Rgon,min = 27 Ohms
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
Infineon, Formerly Eupec IGBTs
Infineon, Formerly Eupec
BSM50GB170DN2
IGBT 50A 1700V ; Type; Dual
Vces; 1700 Volts DC
Ic; 50 Amps
Vges +/-; 20
Ices Max; 0.5 MilliAmps
Iges Max; 0.32 MicroAmps
Vge(th) Min/Max; 6.5 Volts
Vce(sat) Max; 3.9 Volts
Height (mm); 30.5
Width (mm); 94
Depth (mm); 34 ;
BSM50GB170DN2
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- BSM50GB170DN2
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