BSM50GD120DN12

El BSM50GD120DN12 de Infineon Technologies / EUPEC (familia EconoPACK™ 2) es un módulo de potencia IGBT de 6 elementos en configuración de puente inversor trifásico completo (Six-Pack / 3-Phase Inverter Bridge Module), diseñado para etapas de conmutación de alto rendimiento en convertidores de frecuencia para motores de corriente alterna, fuentes ininterrumpidas de potencia (UPS), servodrives y sistemas de soldadura industrial.

Fabricado en un encapsulado plano compacto con placa base de cobre aislada para montaje directo sobre disipador térmico, este módulo integra seis transistores IGBT con tecnología NPT (Non-Punch-Through) y diodos de libre circulación (Free-Wheeling Diodes - FWD) de recuperación rápida y suave conectados en antiparalelo. Soporta una tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V y una corriente nominal continua de colector de 50 A a 80 °C (hasta 75 A a 25 °C), proporcionando un termistor NTC integrado para la supervisión térmica de la placa base, bajas pérdidas de conmutación, pines de soldadura para inserción en PCB y aislamiento galvánico de 2500 VAC.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies AG / EUPEC

Modelo / Referencia: BSM50GD120DN12 (BSM50GD120DN2)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111718 / Módulos de potencia IGBT e inversores)

Familia / Serie: Serie EconoPACK™ 2 (IGBT Six-Pack Module)

Tipo de Componente: Módulo inversor trifásico IGBT de 6 elementos (Six-Pack IGBT Module)

Configuración Interna: Puente trifásico completo (6 IGBTs con diodos FWD antiparalelo y sensor térmico NTC integrado)

Tipo de Montaje: Fijación por tornillos sobre disipador térmico con terminales de pines para soldadura en PCB (Through-Hole PCB Mount)

Desglose de la Nomenclatura

BSM: Módulo semiconductor bipolar estándar EUPEC / Infineon (Bipolar Semiconductor Module)

50: Corriente nominal continua de colector de 50 A (a Tc = 80 °C)

GD: Configuración Six-Pack (puente inversor trifásico de 6 transistores)

120: Tensión asignada de bloqueo colector-emisor de 1200 V (120 x 10 V)

D: Diodo de libre circulación (Free-Wheeling Diode) integrado

N12 / N2: Tecnología de chip IGBT NPT de generación 1200 V

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V continuo

Corriente Continua de Colector (IC):

A Tc = 80 °C: 50 A

A Tc = 25 °C: Aprox. 75 A a 78 A

Corriente de Colector de Pico (ICP): 100 A (pulso transitorio de 1 ms)

Corriente Continua del Diodo Inverso (IF): 50 A (pulso IFM: 100 A)

Disipación Total de Potencia por IGBT (Ptot): Aprox. 350 W a 400 W (a Tc = 25 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 2500 VAC (50 Hz, 1 minuto entre terminales y placa base)

Características Eléctricas de Operación

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 2.5 V a 3.1 V (a IC = 50 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C); aprox. 3.1 V a Tj = 125 °C

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 4.5 V a 6.5 V (a IC = 2.0 mA)

Capacitancia de Entrada (Cies): Aprox. 3.3 nF a 3.8 nF (a VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz)

Tensión Directa del Diodo FWD (VF): Típico 2.0 V a 2.5 V (a IF = 50 A, VGE = 0 V)

Resistencia a Cortocircuito (tsc): Mínimo 10 µs (a VGE <= 15 V, VCC = 720 V, Tj <= 125 °C)

Sensor de Temperatura Integrado (Termistor NTC)

Resistencia Nominal (R25): 5.0 k? (+/- 5% a 25 °C)

Desviación de Resistencia a 100 °C (R100): Aprox. 493 ?

Constante B (B25/50): Aprox. 3375 K a 3400 K

Función: Supervisión térmica continua de la temperatura de la placa base por parte del circuito de control/driver

Propiedades Mecánicas y Térmicas

Encapsulado: Formato EconoPACK™ 2

Dimensiones Físicas: Aprox. 107.0 mm (largo) x 45.0 mm (ancho) x 20.5 mm (alto)

Material de la Placa Base: Cobre con recubrimiento niquelado

Conexiones Eléctricas: Terminales tipo pin para soldar directamente a la placa de circuito impreso (PCB)

Par de Apriete al Disipador: 3.0 N·m a 6.0 N·m (tornillos métricos M5)

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C (máximo operativo continuo hasta +125 °C)

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) IGBT): Aprox. 0.31 °C/W a 0.35 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Aprox. 0.60 °C/W a 0.70 °C/W

Peso Aproximado: Aprox. 180 g a 200 g

Inversores trifásicos y convertidores de frecuencia (VFD) para motores de 15 kW a 22 kW en redes de 400/480 VAC.

Servocontroladores industriales para maquinaria de mecanizado CNC y robótica.

Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) de media y gran escala.

Fuentes de potencia conmutadas industriales y equipos de corte o soldadura por arco.