GD450HFY120C2S

Voltaje Máximo: 1200 V.

Corriente Nominal: 450 A.

Configuración del Circuito: Half Bridge (Dos IGBTs integrados en un solo paquete con diodos antiparalelo de recuperación rápida).

Tecnología del Chip: Advanced Trench Gate Field-Stop IGBT, la cual ofrece pérdidas de conducción extremadamente bajas.

Voltaje de Saturación Colector-Emisor: Típico de 1.7 V a 25 °C, con coeficiente de temperatura positivo (ideal para conexión en paralelo).

Capacidad de Resistencia a Cortocircuito: Hasta 10 ?s.

Temperatura de Unión Máxima: 175 °C.

Aislamiento Interno: Placa base de cobre aislado mediante tecnología DBC (Direct Bonded Copper)

El GD450HFY120C2S es un módulo de potencia semiconductor IGBT dual de configuración Half-Bridge (medio puente) fabricado por la marca StarPower.

Está diseñado específicamente para soportar cargas de alta potencia y conmutación eficiente en entornos industriales complejos