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SKKT500/12E

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MODULOS THYRISTOR THYRISTOR

Última actualización

DatasheetSKKT500/12E

500A 1200V 2U

SEMIKRON

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Alternativas del producto : SKKT570/18E

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Features

El SKKT500/12E (o SKKT 500/12 E) de Semikron-Danfoss es un módulo semiconductor de potencia con tiristores de control de fase (Phase Control Thyristor Module / SEMIPACK 5), configurado en topología de medio puente (Dual Thyristor / Half-Bridge Topology), diseñado para aplicaciones de conmutación pesada en corriente alterna, rectificación controlada de alta potencia y arrancadores suaves industriales.

Diseñado para operar en circuitos industriales estándar de hasta 400/440 VAC con una tensión de bloqueo/inversa de pico repetitiva de 1200 V (1.2 kV) y una corriente media nominal en estado conductor de 500 A (con corriente eficaz de hasta 950 A a Tc = 85 °C), este módulo incorpora tecnología de unión por contacto a presión (Pressure Contact Technology) sobre una placa base de cobre aislada con cerámica de alúmina (Aislamiento de 3000 VAC). Cuenta con una capacidad de sobrecorriente transitoria no repetitiva de hasta 17.5 kA, terminales de potencia atornillados con rosca métrica M10 y un diseño robusto optimizado para ciclos térmicos severos.

Specs

Fabricante: Semikron / Semikron-Danfoss (Alemania)

Modelo / Referencia Completa: SKKT500/12E (SKKT 500/12 E / SKKT500-12E)

Familia / Encapsulado: SEMIPACK 5

Topología de Circuito: Dos tiristores en serie / Medio puente (Dual Thyristor / Half-Bridge Leg)

Tipo de Componente: Módulo tiristor de potencia para control de fase (Phase Control Thyristor Module)

Desglose de la Nomenclatura

SK: Marca registrada Semikron

KT: Tiristor / Tiristor en serie (módulo de dos tiristores en medio puente)

500: Corriente media nominal en conducción de 500 A (IT(AV))

12: Clase de tensión de bloqueo de 1200 V (VDRM / VRRM = 12 x 100 V)

E: Versión de diseño con tecnología de contacto por presión interna

Especificaciones Eléctricas de Bloqueo

Tensión Repetitiva Máxima de Pico en Estado de Bloqueo Directo (VDRM): 1200 V

Tensión Repetitiva Máxima de Pico Inverso (VRRM): 1200 V

Tensión No Repetitiva de Pico Inverso (VRSM): 1300 V

Corriente de Fuga Repetitiva de Pico (IDRM / IRRM): Máximo 150 mA (a Tj = 130 °C y tensión nominal)

Velocidad Crítica de Subida de Tensión Fuera de Estado (dv/dt): 1000 V/µs (a Tj = 130 °C)

Especificaciones de Corriente y Conducción

Corriente Media Nominal en Estado Conductor (IT(AV)):

500 A (a Tc = 85 °C)

670 A (a Tc = 60 °C)

Corriente Eficaz Nominal (IT(RMS)): Aprox. 950 A a 1050 A

Corriente de Sobretensión Transitoria No Repetitiva (ITSM): 17,500 A (17.5 kA a 10 ms, Tj = 25 °C) / 15,000 A (a Tj = 130 °C)

Integral de Corriente / Capacidad de Fusión (I²t): 1,530,000 A²s (10 ms a Tj = 25 °C)

Tensión Máxima en Estado Conductor (VTM): Aprox. 1.45 V a 1.65 V (a ITM = 1500 A y Tj = 25 °C)

Velocidad Crítica de Subida de Corriente en Conducción (di/dt): 200 A/µs

Características de Disparo de Compuerta (Gate)

Tensión de Disparo de Compuerta (VGT): Mínimo 2.5 V (a Tj = 25 °C)

Corriente de Disparo de Compuerta (IGT): Mínimo 250 mA (a Tj = 25 °C)

Tensión de No Disparo de Compuerta (VGD): Máximo 0.25 V (a Tj = 130 °C)

Corriente de Retención (IH): Aprox. 300 mA (a Tj = 25 °C)

Corriente de Enganche (IL): Aprox. 1000 mA (a Tj = 25 °C)

Rendimiento Térmico y Aislamiento

Resistencia Térmica Unión-Carcasa por Tiristor (Rth j-c): 0.072 °C/W (K/W)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa Total del Módulo: 0.036 °C/W

Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (Rth c-s): 0.02 °C/W (módulo completo con pasta térmica)

Temperatura Máxima de Unión Operativa (Tj max): -40 °C a +130 °C

Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +130 °C

Tensión de Aislamiento Eléctrico (Visol): 3000 VAC (50 Hz durante 1 minuto) / 3600 VAC (1 s)

Especificaciones Mecánicas y Montaje

Tecnología Constructiva: Contactos por presión interna sobre sustrato cerámico DBC/Al2O3 con placa base de cobre

Terminales de Potencia: Bornes atornillados con rosca métrica M10 (Par de apriete: 10.0 Nm a 12.0 Nm)

Fijación al Disipador: Orificios pasantes para tornillos M6 o M8 (Par de apriete: 5.0 Nm a 6.0 Nm)

Terminales de Control / Gate: Conectores enchufables tipo Faston / terminales de clavija integrados

Dimensiones Exteriores: Aprox. 150 mm (largo) x 60 mm (ancho) x 52 mm (alto)

Peso Aproximado: Aprox. 1.45 kg a 1.60 kg

Aplications

Arrancadores suaves (Soft Starters) de alta potencia para motores trifásicos estándar de 380 V a 440 VAC.

Rectificadores controlados de alta corriente para galvanoplastia, electrólisis y soldadura industrial.

Control de potencia y gradiente térmico en hornos de resistencia industrial y sistemas de calefacción pesada.

Conmutadores estáticos de CA e interruptores de bypass en sistemas UPS / SAI industriales.

Puentes rectificadores para accionamientos de motores de corriente continua (DC drives).

SEMIKRON
SKKT500/12E

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Hersteller-Teilenummer (MPN)
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