SKKT57B/14E

El SKKT 57B/14 E (referencia de catálogo SKKT57B/14E) de SEMIKRON (Semikron Danfoss) es un módulo de potencia semiconductor compuesto por dos tiristores conectados en serie (Thyristor / Thyristor Module), perteneciente a la familia estándar industrial SEMIPACK 1, diseñado para aplicaciones de control de fase, rectificación controlada de CA a CC, regulación de potencia en cargas resistivas/inductivas y control de accionamientos eléctricos industriales.

Fabricado en una cápsula sellada con placa base de cobre aislada galvánicamente mediante sustrato cerámico de alúmina (óxido de aluminio), ofrece una rigidez dieléctrica de aislamiento de 3,600 VAC RMS, lo que permite instalar múltiples módulos sobre un único disipador térmico común sin requerir aislamiento adicional. Cuenta con una capacidad de corriente media en conducción de 50 A a 55 A (corriente eficaz RMS de hasta 95 A) y una tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo e inverso de 1,400 V (1.4 kV), incorporando tecnología de contacto por presión que proporciona alta durabilidad frente a ciclos térmicos repetitivos, bajas pérdidas de conducció

Specs

Fabricante: SEMIKRON (Semikron Danfoss)

Modelo / Referencia: SKKT 57B/14 E (SKKT57B/14E / serie SEMIPACK 1)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 / 32111706 (Módulos de tiristores / Thyristor Modules)

Familia / Serie: Serie SEMIPACK 1 (Dual Thyristor Modules)

Tipo de Componente: Módulo semiconductor de dos tiristores (SCR) en conexión serie

Tipo de Montaje: Montaje directo sobre disipador térmico mediante 2 tornillos pasantes M5

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Bornes principales de potencia atornillados (rosca M5) y terminales auxiliares de compuerta/cátodo tipo lengüeta plana Faston (2.8 mm x 0.8 mm)

Distribución de Pines / Bornes:

Terminal 1 (Potencia - M5): Ánodo del tiristor 1 (A1)

Terminal 2 (Potencia - M5): Cátodo del tiristor 1 / Ánodo del tiristor 2 (Punto común de unión central C1 / A2)

Terminal 3 (Potencia - M5): Cátodo del tiristor 2 (C2)

Terminal 4 (Faston 2.8 mm): Compuerta del tiristor 1 (Gate G1)

Terminal 5 (Faston 2.8 mm): Cátodo auxiliar del tiristor 1 (Auxiliary Cathode K1)

Terminal 6 (Faston 2.8 mm): Compuerta del tiristor 2 (Gate G2)

Terminal 7 (Faston 2.8 mm): Cátodo auxiliar del tiristor 2 (Auxiliary Cathode K2)

Desglose de la Nomenclatura

SKKT: Módulo SEMIKRON de doble tiristor (Semikron Thyristor / Thyristor)

57: Nivel de corriente media nominal asignada (aprox. 55 A a temperatura de carcasa estándar)

B: Topología constructiva interna: Conexión serie de dos tiristores en disposición estándar SEMIPACK 1

/: Separador de catálogo

14: Tensión repetitiva de pico asignada dividida entre 100: 1,400 V (1.4 kV)

E: Calificación de prestaciones dinámicas y diseño estándar de compuerta SEMIKRON

Especificaciones Eléctricas de Operación

Tensión Repetitiva de Pico en Bloqueo Directo e Inverso (VDRM / VRRM): 1,400 V

Tensión No Repetitiva de Pico Inversa (VRSM): 1,500 V

Corriente Eficaz Nominal en Conducción (ITRMS): 95 A

Corriente Media Nominal en Estado Activo (ITAV):

A Tc = 85 °C: 50 A

A Tc = 75 °C: 55 A

Corriente de Sobretensión No Repetitiva de Pico (ITSM): 1,500 A (a 10 ms y 25 °C) / 1,350 A (a 10 ms y 125 °C)

Valor Integral de Corriente (I²t): 11,250 A²s (a 10 ms y 25 °C) / 9,100 A²s (a 10 ms y 125 °C)

Tensión en Conducción Máxima (VT): Máximo 1.65 V (a IT = 150 A y Tj = 25 °C)

Tensión de Umbral (VT(TO)): 0.85 V (a Tj = 125 °C)

Resistencia Interna de Pendiente (rT): 4.5 m? (a Tj = 125 °C)

Corriente de Fuga en Bloqueo Directo/Inverso (IDD / IRD): Máximo 20 mA (a VDRM / VRRM y Tj = 125 °C)

Características de Disparo y Parámetros Dinámicos

Tensión de Disparo de Compuerta (VGT): Mínimo 2.5 V (a Tj = 25 °C, V = 6 V, I = 1 A)

Corriente de Disparo de Compuerta (IGT): Mínimo 150 mA (a Tj = 25 °C, V = 6 V, I = 1 A)

Tensión de Compuerta No Desencadenante (VGD): Máximo 0.25 V (a Tj = 125 °C)

Corriente de Mantenimiento (IH): Máximo 200 mA (a Tj = 25 °C)

Corriente de Enganche (IL): Máximo 400 mA (a Tj = 25 °C)

Tasa Crítica de Subida de Tensión en Bloqueo (dv/dt): Típico 1,000 V/µs (a Tj = 125 °C)

Tasa Crítica de Subida de Corriente en Conducción (di/dt): 150 A/µs (a 50/60 Hz y Tj = 125 °C)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Cápsula estándar SEMIPACK 1

Dimensiones Físicas: 93.0 mm (largo) x 20.0 mm (ancho) x 30.0 mm (alto total)

Distancia entre Orificios de Montaje: 80.0 mm entre centros

Par de Apriete en Disipador: 4.0 N·m a 6.0 N·m (tornillos M5)

Par de Apriete en Bornes de Potencia: 2.5 N·m a 4.0 N·m (tornillos M5)

Materiales: Placa base de cobre estañado; resina epoxi termoestable ignífuga de alta resistencia (UL 94V-0)

Peso Aproximado: Aprox. 95 g a 110 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de Unión (Tj): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 3,600 VAC RMS (1 minuto, 50 Hz entre terminales y placa base)

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): 0.40 K/W por tiristor (0.20 K/W por módulo completo)

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador (Rth(c-s)): 0.10 K/W por módulo

Normativas y Homologaciones: Homologación cULus (archivo E63532), marcado CE, conformidad con directiva RoHS

Puentes rectificadores semicontrolados y totalmente controlados para líneas de 400 VAC a 480 VAC.

Arrancadores suaves de estado sólido (Soft Starters) para motores de inducción trifásicos.

Control de temperatura de alta precisión mediante modulación de fase para hornos industriales y extrusoras.

Rectificadores y sistemas de carga para bancos de baterías de subestaciones y telecomunicaciones.

Relés estáticos de corriente alterna (SSR) para sustitución de contactores electromecánicos sujetos a alta frecuencia de maniobras.