SKKT57B/16E

El SKKT 57B/16 E (referencia de catálogo SKKT57B/16E) de SEMIKRON (Semikron Danfoss) es un módulo de potencia semiconductor con dos tiristores conectados en serie (Thyristor / Thyristor Module), perteneciente a la familia estándar industrial SEMIPACK 1, diseñado para el control de fase, rectificación controlada, conmutación de corriente alterna y control de potencia en convertidores de tracción, cargadores de baterías, arrancadores suaves de motores de inducción y controles de calentamiento resistivo.

Construido en una cápsula sellada con placa base de cobre aislada galvánicamente mediante sustrato cerámico de alúmina (óxido de aluminio), ofrece una tensión de aislamiento dieléctrico de 3,600 VAC RMS que permite el montaje de múltiples módulos sobre un único disipador común sin necesidad de aisladores externos. Cuenta con una capacidad de corriente nominal de conducción de 50 A a 55 A (corriente eficaz RMS de hasta 95 A) y una tensión repetitiva de pico en estado de bloqueo/inverso de 1,600 V (1.6 kV), destacando por su tecnología de contacto por presión que garantiza una elevada resistencia a ciclos térmicos repetitivos, bajas pérdidas de conducció

Specs

Fabricante: SEMIKRON (Semikron Danfoss)

Modelo / Referencia: SKKT 57B/16 E (SKKT57B/16E / código de pedido SEMIPACK 1)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 / 32111706 (Módulos de tiristores / Thyristor Modules)

Familia / Serie: Serie SEMIPACK 1 (Dual Thyristor Modules)

Tipo de Componente: Módulo semiconductor de dos tiristores (SCR) en conexión serie

Tipo de Montaje: Montaje directo en disipador térmico mediante 2 tornillos pasantes M5

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Terminales de potencia atornillados (tornillos M5) y terminales auxiliares de control tipo lengüeta plana Faston (2.8 mm x 0.8 mm)

Distribución de Pines / Bornes:

Terminal 1 (Potencia - M5): Ánodo del tiristor 1 (A1)

Terminal 2 (Potencia - M5): Cátodo del tiristor 1 / Ánodo del tiristor 2 (Punto común de unión central C1 / A2)

Terminal 3 (Potencia - M5): Cátodo del tiristor 2 (C2)

Terminal 4 (Faston 2.8 mm): Compuerta del tiristor 1 (Gate G1)

Terminal 5 (Faston 2.8 mm): Cátodo auxiliar del tiristor 1 (Auxiliary Cathode K1)

Terminal 6 (Faston 2.8 mm): Compuerta del tiristor 2 (Gate G2)

Terminal 7 (Faston 2.8 mm): Cátodo auxiliar del tiristor 2 (Auxiliary Cathode K2)

Desglose de la Nomenclatura

SKKT: Módulo SEMIKRON de doble tiristor (Semikron Thyristor / Thyristor)

57: Nivel de corriente media nominal de conducción (aprox. 55 A a temperatura de carcasa estándar)

B: Diseño constructivo interno y circuito de conexión (conexión en serie con terminales estándar SEMIPACK 1)

16: Tensión repetitiva de pico asignada dividida entre 100: 1,600 V (1.6 kV)

E: Clase de comportamiento dinámico y cualificación de componentes SEMIKRON

Especificaciones Eléctricas de Operación

Tensión Repetitiva de Pico en Bloqueo Directo e Inverso (VDRM / VRRM): 1,600 V

Tensión No Repetitiva de Pico Inversa (VRSM): 1,700 V

Corriente Eficaz Nominal en Conducción (ITRMS): 95 A

Corriente Media Nominal en Estado Activo (ITAV):

A Tc = 85 °C: 50 A

A Tc = 75 °C: 55 A

Corriente de Sobretensión No Repetitiva de Pico (ITSM): 1,500 A (a 10 ms y 25 °C) / 1,350 A (a 10 ms y 125 °C)

Valor Integral de Corriente (I²t): 11,250 A²s (a 10 ms y 25 °C) / 9,100 A²s (a 10 ms y 125 °C)

Tensión en Conducción Máxima (VT): Máximo 1.65 V (a IT = 150 A y Tj = 25 °C)

Tensión de Umbral (VT(TO)): 0.85 V (a Tj = 125 °C)

Resistencia Interna de Pendiente (rT): 4.5 m? (a Tj = 125 °C)

Corriente de Fuga en Bloqueo Directo/Inverso (IDD / IRD): Máximo 20 mA (a VDRM / VRRM y Tj = 125 °C)

Características de Disparo y Parámetros Dinámicos

Tensión de Disparo de Compuerta (VGT): Mínimo 2.5 V (a Tj = 25 °C, V = 6 V, I = 1 A)

Corriente de Disparo de Compuerta (IGT): Mínimo 150 mA (a Tj = 25 °C, V = 6 V, I = 1 A)

Tensión de Compuerta No Desencadenante (VGD): Máximo 0.25 V (a Tj = 125 °C)

Corriente de Mantenimiento (IH): Máximo 200 mA (a Tj = 25 °C)

Corriente de Enganche (IL): Máximo 400 mA (a Tj = 25 °C)

Tasa Crítica de Subida de Tensión en Bloqueo (dv/dt): Típico 1,000 V/µs (a Tj = 125 °C)

Tasa Crítica de Subida de Corriente en Conducción (di/dt): 150 A/µs (a 50/60 Hz y Tj = 125 °C)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Cápsula estándar SEMIPACK 1

Dimensiones Físicas: 93.0 mm (largo) x 20.0 mm (ancho) x 30.0 mm (alto total)

Distancia entre Orificios de Montaje: 80.0 mm entre centros

Par de Apriete en Disipador: 4.0 N·m a 6.0 N·m (tornillos M5)

Par de Apriete en Terminales de Potencia: 2.5 N·m a 4.0 N·m (tornillos M5)

Materiales: Placa base de cobre estañado; cuerpo de resina epoxi termoestable no inflamable (UL 94V-0)

Peso Aproximado: Aprox. 95 g a 110 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de Unión (Tj): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 3,600 VAC RMS (1 minuto, 50 Hz entre terminales y placa base)

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): 0.40 K/W por tiristor (0.20 K/W por módulo completo)

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador (Rth(c-s)): 0.10 K/W por módulo

Normativas y Homologaciones: Homologación cULus (archivo E63532), marcado CE, conformidad con directiva RoHS

Rectificadores controlados trifásicos y monofásicos para fuentes de alimentación industrial.

Arrancadores suaves de estado sólido (Soft Starters) para motores eléctricos asíncronos.

Control de temperatura y potencia por corte de fase en hornos industriales y calentadores resistivos.

Reguladores de corriente y módulos de carga en bancos de baterías industriales.

Interruptores de estado sólido de corriente alterna en sustitución de contactores electromecánicos de alto ciclado.