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SKT760/08D

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SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE

Última actualización

DatasheetSKT760/08D

760A/800V/1U

SEMIKRON

Delivery time : 1-2 Semanas

Alternativas del producto : ST730C18L0L

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  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

El SKT760/08D es un tiristor de control de fase de alta potencia (SCR, por sus siglas en inglés) fabricado por la firma alemana Semikron. Este dispositivo está diseñado en un encapsulado hermético tipo cápsula o disco (press-pack), lo que permite un enfriamiento óptimo por ambas caras (double-side cooling) al ser presionado mecánicamente entre disipadores de calor. Es un componente sumamente robusto y confiable, diseñado específicamente para soportar los rigores de las aplicaciones industriales pesadas que demandan el control de corrientes y voltajes sumamente elevados.

Parámetros Eléctricos Importantes

Este tiristor destaca por su alta capacidad de conducción y resistencia ante sobretensiones transitorias en la red eléctrica:

Voltaje Reverso Máximo Repetitivo (Vrrm) y de Bloqueo Directo (Vdrm): 800 Voltios (V) (indicado por el código 08 en su nomenclatura). Es el límite seguro de tensión que el componente puede bloquear en estado de apagado.

Corriente Media en Estado de Conducción (It av): 760 Amperios (A) medidos a una temperatura de carcasa óptima de 85 °C (asociado al código 760).

Corriente RMS en Estado de Conducción (It rms): Hasta 1500 Amperios (A) continuos.

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (Itsm): Capacidad extrema para soportar un pulso momentáneo de sobrecorriente de hasta 11,500 Amperios (11.5 kA) para un ciclo de onda de 10 milisegundos a 50 Hz.

Velocidad Crítica de Elevación de Corriente en el Encendido (di/dt): 150 Amperios por microsegundo

Velocidad Crítica de Elevación de Voltaje en Apagado (dv/dt): 1000 Voltios por microsegundo (us), lo que le otorga una alta inmunidad contra disparos erráticos provocados por ruido eléctrico en la línea.

Corriente de Disparo de Compuerta Mínima (Igt): Típicamente hasta 250 miliamperios (mA) a una temperatura de 25 °C para asegurar la transición al estado de conducción.

Voltaje de Disparo de Compuerta Mínimo (Vgt): 2.5 Voltios (V).

Dimensiones Físicas

Al ser un dispositivo press-pack, carece de terminales de tornillo gruesos y depende por completo de la presión mecánica externa para establecer el contacto eléctrico y térmico:

Tipo de Encapsulado: Cápsula cerámica hermética estándar (Designación de carcasa Semikron: TO-200AC o similar).

Diámetro Total del Cuerpo Cerámico: Aproximadamente 58 a 60 milímetros (mm).

Diámetro de las Superficies de Contacto Metálicas (Ánodo/Cátodo): Cerca de 34 a 36 mm.

Espesor o Altura Total del Disco: Aproximadamente 26 mm.

Fuerza de Montaje Mecánica Requerida: Para garantizar que el chip interno de silicio no sufra daños y transfiera correctamente el calor, requiere la aplicación de una fuerza de sujeción externa (clamping force) de entre 10 y 15 kilonewtons (kN).

Conexiones Internas y Estructura

La arquitectura interna del SKT760/08D está optimizada para distribuir la energía de manera uniforme a través de la oblea de silicio:

Estructura de Cuatro Capas: Internamente cuenta con una pastilla de silicio con una disposición semiconductora P-N-P-N de gran diámetro.

Ánodo y Cátodo de Potencia: Las dos caras planas de metal pulido y plano del exterior del disco actúan directamente como las terminales de Ánodo y Cátodo. La conducción eléctrica principal se realiza a través de toda la superficie presionada contra las barras conductoras de cobre.

Conexión de Compuerta (Gate): Incorpora un pequeño pin o cable flexible auxiliar que sobresale de la banda central aislante del disco. Utiliza internamente una estructura de compuerta amplificadora (amplifying gate), la cual aprovecha una pequeña señal inicial para activar rápidamente toda la superficie del semiconductor, previniendo puntos calientes localizados en el momento del encendido.

Aplications

Debido a su alta eficiencia en la conmutación de energía a frecuencias de red (50/60 Hz), el SKT760/08D se emplea de manera masiva en:

Rectificadores Controlados de Alta Potencia: Puentes de diodos/tiristores (Puentes de Graetz) para proporcionar corriente directa masiva en procesos de galvanoplastia, electrólisis industrial y estaciones de carga de baterías pesadas.

Arrancadores Suaves (Soft Starters): Equipos utilizados para el arranque y paro gradual de motores trifásicos de inducción de gran caballaje en sistemas de bombeo de agua y minería.

Controladores de Motores de Corriente Directa (DC Drives): Regulación precisa de velocidad y torque para motores de gran tamaño en molinos de cemento, industrias papeleras y acerías.

Control de Hornos de Inducción y Calefacción: Sistemas de control de potencia por corte de fase para regular la temperatura en fundiciones de metal y tratamientos térmicos industriales.

Interruptores estáticos de Corriente Alterna: Conmutación sin partes móviles ni desgaste mecánico de cargas eléctricas masivas en redes de distribución industrial.

Semikron Phase Control SCRs, SKT760 Series

Semikron

SKT760/08D

SCR, TO-200AC, 800V, 760A ; Package Style; TO-200AC

Vrrm (volts); 800 Volts

Vdrm (volts); 800 Volts

It (rms) Amps; 1600 Amps

It (avg) Amps; 696 Amps

Itsm Amps; 15000 Amps

di/dt (A/microseconds); 125

dv/dt (V/microseconds); 500

I2T@50Hz (A2Sec); 1125000

Vtm (volts); 1.65 Volts

tq (microseconds); 200 MicroSeconds

Irrm Peak (mA); 80 MilliAmps

Idrm Peak (mA); 80 MilliAmps

Igt (mA); 200 MilliAmps

Vgt (volts); 3 Volts

Puck Size (h x dia.) in.; 1x2.25

Junction Temp.; 257 Degrees F

Mounting Force; 10 kN

RoHS; Yes

Diag. No.; SEKG_SCR_DIAG_B10

SEMIKRON
SKT760/08D

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
SKT760/08D
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