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IXTH88N30P

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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA

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DatasheetIXTH88N30P

88A/300V

IXYS

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Features

Especificaciones Técnicas Principales

Voltaje Drenaje-Fuente (Vds): 300 Voltios.

Corriente de Drenaje Continua (Id): 88 Amperios (a 25 grados Celsius).

Resistencia en Encendido (Rds on): Máximo 40 miliohmios (0.040 Ohmios).

Voltaje de Umbral de Puerta (Vgs th): entre 2.5V y 5.0V.

Disipación de Potencia Total (Pd): 600 Vatios.

Encapsulado: TO-247 (estándar para alta potencia con tres terminales).

Características de la Serie PolarP

1. Baja Carga de Puerta (Gate Charge)

A pesar de manejar corrientes de hasta 88A, este transistor tiene una carga de puerta optimizada. Esto permite que los circuitos de control (drivers) puedan encender y apagar el transistor muy rápidamente, reduciendo las pérdidas de energía durante la transición.

2. Diodo de Cuerpo Robusto

Incluye un diodo intrínseco de recuperación rápida que puede manejar altas tasas de cambio de voltaje (dv/dt), lo que elimina en muchos casos la necesidad de diodos de protección externos en circuitos de conmutación.

3. Alta Densidad de Potencia

Aplications

El IXTH88N30P es ideal para sistemas industriales pesados:

Convertidores DC-DC de Alta Potencia: Elevadores o reductores de voltaje en sistemas de energía solar o baterías industriales.

Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS): Etapas de potencia en fuentes de gran capacidad.

Controladores de Motores: Manejo de motores de corriente continua (DC) que operan a voltajes de hasta 200V-250V.

Sistemas de UPS: Inversores para sistemas de alimentación ininterrumpida de alta gama.

Cargadores de Vehículos Eléctricos: Etapas de rectificación y control de carga.

IXTH88N30P

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
IXTH88N30P
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