2SD1623

El 2SD1623 de onsemi (originalmente desarrollado por SANYO Semiconductor) es un transistor bipolar de unión epitaxial NPN de potencia (NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor), diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, amplificación de propósito general, etapas de salida de audio, convertidores DC-DC, fuentes conmutadas (SMPS) y controladores de cargas inductivas como solenoides o relevadores.

Diseñado en un encapsulado compacto para montaje en superficie PCP / SOT-89, este dispositivo maneja una tensión colector-emisor (VCEO) de 50 V, una corriente continua de colector (IC) de 2 A (con pulsos pico de hasta 4 A) y una baja tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat) menor o igual a 0.4 V a 1 A). Destaca por su alta ganancia de corriente continua (hFE), alta frecuencia de transición (fT = 150 MHz) para transiciones rápidas de conmutación y un complemento PNP perfectamente emparejado en el modelo 2SB1123, ideal para configuraciones en contrafase (push-pull) y etapas de excitación PWM.

Specs

Fabricante: onsemi (ON Semiconductor / SANYO Semiconductor)

Modelo / Referencia: 2SD1623 (variantes según clasificación de hFE: 2SD1623-R, 2SD1623-S, 2SD1623-T, 2SD1623-U)

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 (32111603 / Transistores bipolares BJT)

Familia / Serie: Serie 2SD / Transistores BJT NPN de potencia media en silicio

Tipo de Polaridad: NPN

Transistor Complementario (PNP): 2SB1123

Tipo de Encapsulado: PCP (compatible con SOT-89 / TO-243)

Tipo de Montaje: Montaje en superficie (SMD / SMT)

Desglose de la Nomenclatura

2S: Estándar industrial japonés (JIS) para dispositivos semiconductores de tres terminales

D: Transistor bipolar NPN para aplicaciones de alta frecuencia / media potencia

1623: Nú

Valores Máximos Absolutos (Ta = 25 °C)

Tensión Colector-Base (VCBO): 60 V

Tensión Colector-Emisor (VCEO): 50 V

Tensión Emisor-Base (VEBO): 6 V

Corriente Continua de Colector (IC): 2.0 A

Corriente de Colector de Pico (ICP): 4.0 A

Disipación Total de Colector (PC):

Montado en placa cerámica de 250 mm² x 0.8 mm: 1.3 W

Disipación en aire libre sin disipador adicional: 500 mW (0.5 W)

Temperatura de Unión (Tj): +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Características Eléctricas (Ta = 25 °C)

Corriente de Corte de Colector (ICBO): Menor o igual a 100 nA (a VCB = 50 V, IE = 0)

Corriente de Corte de Emisor (IEBO): Menor o igual a 100 nA (a VEB = 4 V, IC = 0)

Ganancia de Corriente Continua (hFE):

Condición: VCE = 2 V, IC = 100 mA

Rango de clasificación: 100 a 560 (R: 100-200, S: 140-280, T: 200-400, U: 280-560)

hFE a alta corriente (VCE = 2 V, IC = 1.5 A): Mínimo 40

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Máximo 0.4 V (típico 0.19 V a IC = 1 A, IB = 50 mA)

Tensión de Saturación Base-Emisor (VBE(sat)): Máximo 1.2 V (típico 0.94 V a IC = 1 A, IB = 50 mA)

Frecuencia de Transición / Producto Ganancia-Ancho de Banda (fT): Típica 150 MHz (a VCE = 10 V, IC = 50 mA)

Capacitancia de Salida (Cob): Típica 19 pF (a VCB = 10 V, f = 1 MHz)

Tiempos de Conmutación (Ta = 25 °C)

Tiempo de Encendido (ton): Típico 60 ns

Tiempo de Almacenamiento (tstg): Típico 450 ns

Tiempo de Caída (tf): Típico 40 ns

Construcción Mecánica y Dimensiones

Encapsulado: PCP / SOT-89 moldeado en resina epoxi retardante a la llama

Configuración de Pines (PCP / SOT-89):

Pin 1: Base (B)

Pin 3: Emisor (E)

Marcado en Encapsulado (Marking Code): DE seguido del código de rango hFE (ej. DER, DES, DET, DEU)

Dimensiones Exteriores: Aprox. 4.5 mm (largo) x 2.5 mm (ancho cuerpo) x 1.5 mm (alto); ancho total con pines aprox. 4.0 a 4.25 mm

Peso Aproximado: Aprox. 0.05 g

Condiciones Ambientales y Normativas

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): Nivel 1 (según J-STD-020)

Normativas y Homologaciones: Libre de plomo (Pb-Free), libre de halógenos (Halogen Free), cumplimiento directiva RoHS

Excitación y mando de cargas inductivas como solenoides, válvulas y relés electromecánicos.

Etapas de conmutación de alta velocidad en convertidores DC-DC y reguladores de voltaje.

Etapas de potencia complementarias en amplificadores de audio y circuitos de salida lógica en automatización.