2SK847

El 2SK847 de Mitsubishi Electric (Renesas Electronics) es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de potencia de canal N (N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET), diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC, relés de estado sólido y etapas de control de potencia en equipos industriales y de consumo.

Fabricado en un encapsulado estándar para orificio pasante TO-220 (con pestaña metálica conectada al drenador para montaje sobre disipador térmico), cuenta con una estructura celular planar de baja resistencia en estado de conducción (RDS(on)) y diodo intrínseco de recuperación rápida en antiparalelo integrado. Opera con una tensión asignada de ruptura drenador-fuente (VDSS) de 500 V y una corriente nominal continua de drenador (ID) de 5 A (con corrientes de pulso de hasta 15 A), ofreciendo accionamiento directo por niveles de tensión estándar en puerta, bajas capacitancias parásitas de entrada para facilitar la conmutación rápida y una disipación total de potencia de hasta 50 W.

Specs

Fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor (Renesas Electronics)

Modelo / Referencia: 2SK847 (K847)

Código de Producto / UNSPSC: 32111603 (Transistores de efecto de campo / MOSFETs)

Familia / Serie: Dispositivos discretos de conmutación de potencia MOSFET Canal N

Polaridad / Tipo de Canal: Canal N por enriquecimiento (N-Channel Enhancement Mode)

Tipo de Componente: Transistor MOSFET de potencia para conmutación rápida

Tipo de Montaje: Montaje en placa de circuito impreso por orificio pasante (Through-Hole Technology - THT)

Asignación de Interfaces y Conexión

Tipo de Encapsulado: TO-220AB estándar de 3 terminales con pestaña metálica

Distribución de Pines (Pinout TO-220 visto de frente):

Pin 1: Puerta / Compuerta (Gate - G)

Pin 2: Drenador (Drain - D)

Pin 3: Fuente (Source - S)

Pestaña metálica posterior (Tab): Conectada internamente al drenador (Drain)

Diodo de Protección / Libre Circulación: Diodo intrínseco sustrato-drenador (Body Diode) integrado en antiparalelo

Desglose de la Nomenclatura

2S: Nomenclatura normalizada japonesa (JIS) para transistores y semiconductores de tres terminales activos

K: Identificador JIS para transistores de efecto de campo (FET / MOSFET) de canal N

847: Número de registro y modelo específico del dispositivo

Especificaciones Eléctricas Absolutas (Máximos Asignados a Tc = 25 °C)

Tensión Drenador-Fuente (VDSS): 500 V

Tensión Puerta-Fuente (VGSS): ±30 V

Corriente Continua de Drenador (ID): 5.0 A (a Tc = 25 °C)

Corriente de Pico de Drenador (IDM): 15 A (pulso de corriente)

Corriente Continua del Diodo Intrínseco (IS): 5.0 A

Disipación Total de Potencia (PD): 50 W (a temperatura de encapsulado Tc = 25 °C)

Disipación de Potencia al Aire Libre: Aprox. 2.0 W (a Ta = 25 °C)

Características Eléctricas y de Conmutación (Típicas a Tj = 25 °C)

Resistencia en Conducción Drenador-Fuente [RDS(on)]: Aprox. 1.2 ? a 1.5 ? (a ID = 2.5 A, VGS = 10 V)

Tensión Umbral de Puerta [VGS(th)]: 2.0 V a 4.0 V (a ID = 1 mA, VDS = 10 V)

Transconductancia Directa (|Yfs|): Aprox. 3.0 S a 4.0 S

Capacitancia de Entrada (Ciss): Aprox. 600 pF a 800 pF

Capacitancia de Salida (Coss): Aprox. 150 pF a 200 pF

Capacitancia de Transferencia Inversa (Crss): Aprox. 30 pF a 50 pF

Tiempo de Encendido (td(on)): Aprox. 15 ns a 25 ns

Tiempo de Subida (tr): Aprox. 30 ns a 45 ns

Tiempo de Apagado (td(off)): Aprox. 50 ns a 80 ns

Tiempo de Caída (tf): Aprox. 25 ns a 40 ns

Parámetros Térmicos

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth j-c): 2.5 °C/W

Resistencia Térmica Unión a Ambiente (Rth j-a): 62.5 °C/W (sin disipador)

Temperatura Máxima de Unión Operativa (Tj): +150 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Cuerpo plástico moldeado con aleta disipadora metá

Dimensiones Físicas: Aprox. 10.0 mm (ancho) x 15.0 mm (alto del cuerpo) x 4.5 mm (espesor)

Orificio de Montaje de Pestaña: 3.6 mm de diámetro para tornillo métrico M3

Longitud de Pines: Aprox. 13.0 mm a 14.0 mm

Peso Aproximado: Aprox. 2.0 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Grado de Inflamabilidad del Plástico: Conforme a norma UL 94V-0

Normativas y Cumplimiento: Estándar industrial JEDEC TO-220AB, cumplimiento de directiva RoHS

Interruptor primario en fuentes de alimentación conmutadas flyback y forward (SMPS).

Convertidores DC-DC elevadores y reductores de media tensión.

Circuitos de balasto electrónico para iluminación fluorescente o lámparas de descarga.

Control de conmutació