SKN6000/06

El SKN6000/06 de SEMIKRON (Semikron Danfoss) es un diodo rectificador de potencia de silicio en formato de disco plano hermético (Capsule / Hockey Puk Diode / Welding Diode), perteneciente a la gama de semiconductores de rectificación para corrientes ultraelevadas SKN Series (cápsula E35), diseñado para la rectificación secundaria de media tensión y alta corriente en máquinas de soldadura por resistencia (soldadura por puntos y costura en automoción), cubas de galvanoplastia y electrólisis industrial, diodos de libre circulación (freewheeling) y rectificadores para hornos de inducción o tracción.

Construido en una cápsula metal-cerámica ultrafina hermética de compresión mecánica con contactos de metales preciosos por presión (precious metal pressure contacts) y grado de protección IP00, está concebido específicamente para refrigeración líquida o forzada a doble cara (double-side cooling) mediante disipadores sometidos a fuerza de apriete calibrada. Opera con una tensión inversa repetitiva de pico (VRRM) de 600 V y admite una corriente media en estado de conducción (IFAV) de 6,000 A a una temperatura de carcasa de 85 °C (con corriente eficaz IFRMS máxima continua de hasta 10,000 A), soportando corrientes de choque accidentales (surge current IFSM) de hasta 60,000 A y una disipación de potencia sumamente baja gracias a su resistencia térmica reducida (0.012 K/W).

Specs

Fabricante: SEMIKRON Danfoss (SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG)

Modelo / Referencia: SKN 6000/06 (Part Number: 02645550 / variantes como SKN 6000/06 VF1,15V 14kA)

Código de Producto / UNSPSC: 32111500 / 32111502 (Diodos rectificadores de potencia / Power Rectifier Diodes)

Familia / Serie: Serie SKN Capsule (Encapsulado E35 / Welding Diodes)

Tipo de Componente: Diodo rectificador de potencia de silicio en cápsula plana tipo disco

Tipo de Montaje: Montaje por apriete entre bloques disipadores (clamping / press-pack) mediante prensa o mordaza mecánica calibrada

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Superficies frontales planas macizas de contacto metálico de cobre/metales preciosos para compresión mecánica

Distribución de Pines / Bornes (Componente bipolar simétrico estándar SKN):

Cara Frontal / Superficie de Contacto 1: Ánodo (A) / Polaridad positiva de conducción

Cara Posterior / Superficie de Contacto 2: Cátodo (K) / Polaridad negativa de conducción

Anillo Cerámico Perimetral: Cuerpo aislador hermético que asegura la distancia de fuga y rigidez dieléctrica entre ánodo y cátodo

Desglose de la Nomenclatura

SK: Identificador corporativo SEMIKRON (Semikron Power Semiconductor)

N: Tipo de semiconductor: Diodo rectificador estándar de silicio (Rectifier Diode)

6000: Corriente media asignada en estado de conducción: 6,000 A (a Tc = 85 °C)

/06: Clase de tensión inversa de pico repetitiva: 06 x 100 = 600 V (VRRM)

Especificaciones de Entrada y Bloqueo

Tensión Inversa Repetitiva de Pico (VRRM): 600 V

Tensión Inversa No Repetitiva de Pico (VRSM): 700 V

Corriente Inversa de Fuga Máxima (IRD): Menor o igual a 100 mA (a VRRM y temperatura máxima de unión Tvj = 180 °C)

Frecuencia de Operación: Frecuencia de red industrial (50/60 Hz) y media frecuencia (hasta varios kHz en soldadura MFDC)

Especificaciones Eléctricas de Operación y Conducción

Corriente Media en Estado de Conducción (IFAV): 6,000 A (onda senoidal 180°, refrigeración a doble cara DSC a Tc = 85 °C; 5,400 A a Tc = 100 °C)

Corriente Eficaz Máxima en Conducción (IFRMS): 10,000 A (valor máximo en operación continua)

Corriente de Sobretensión Accidental (IFSM):

A Tvj = 25 °C (10 ms): 60,000 A

A Tvj = 180 °C (10 ms): 50,000 A

Integral de Fusión de Seguridad (I²t):

A Tvj = 25 °C (10 ms): 18,000,000 A²·s

A Tvj = 180 °C (10 ms): 12,500,000 A²·s

Tensión de Umbral (V(TO)): Máximo 0.70 V (a Tvj = 180 °C)

Resistencia Interna de Pendiente (rT): Máximo 0.04 m? (a Tvj = 180 °C)

Tensión Directa de Pico en Conducción (VF): Máximo 1.30 V (a IF = 14,000 A, Tvj = 25 °C; selecciones con VF de 1.15 V disponibles)

Características Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)):

Refrigeración a doble cara (DSC): 0.012 K/W

Refrigeración a una cara (SSC): 0.024 K/W

Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (Rth(c-s)): 0.005 K/W (DSC) / 0.010 K/W (SSC)

Fuerza de Apriete / Montaje Requerida (Fm): 24 kN a 30 kN (±10%)

Tecnología Constructiva Interna: Contacto por presión sobre metales nobles sin soldadura para máxima resistencia a choques térmicos cíclicos

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Cápsula metálico-cerámica plana tipo disco (Case SEMIKRON E35 / Formato D60x8)

Dimensiones Físicas: Diámetro total exterior 60.0 mm; diámetro de la superficie de contacto útil 44.0 mm; espesor/altura del disco 8.0 mm

Materiales:

Superficies de Contacto: Cobre de alta pureza niquelado con capas de metales nobles

Cuerpo Aislador: Cerámica técnica de alúmina de alta resistencia mecánica y dieléctrica

Peso Aproximado: 130 g (0.13 kg)

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de la Unión (Tvj): -40 °C a +180 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +150 °C

Grado de Protección: IP00 (componente abierto concebido para montaje bajo presión en disipadores aislados o refrigerados por agua)

Normativas y Homologaciones: Marcado CE, directiva de baja tensión (LVD) y conformidad estricta con directiva RoHS

Transformadores y pinzas de soldadura por resistencia de media frecuencia (MFDC) en líneas robotizadas de ensamblaje de carrocerías de automoción.

Rectificadores industriales de corriente continua pesada para cubas de galvanoplastia, cromado y tratamiento de superficies metálicas.

Fuentes de alimentación para procesos de electrólisis y refino químico de metales.

Diodos de libre circulación (freewheeling) en convertidores de potencia de alta densidad y reactores de desacoplo.

Equipos de soldadura industrial continua y fuentes de potencia para calentamiento inductivo.