SKIIP83HEC125T2

El SKiiP 83 HEC 125 T2 (código de referencia SKIIP83HEC125T2 / número de artículo 23153100) de SEMIKRON (Semikron Danfoss) es un módulo semiconductor de potencia integrado tipo CIB (Converter-Inverter-Brake / puente rectificador trifásico, etapa inversora trifásica y chopper de frenado en un solo encapsulado), perteneciente a la familia de plataformas compactas MiniSKiiP 8 (tecnología MiniSKiiP III), diseñado para el accionamiento de motores eléctricos, variadores de frecuencia industriales (VFD), servoconvertidores, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) y equipos de soldadura o climatización comercial.

Fabricado sin placa base de cobre pesada (baseless design) para minimizar las tensiones térmicas y optimizar los ciclos de vida, cuenta con una placa de circuito cerámico de nitruro de aluminio (AlN) o alúmina con tecnología de unión por contacto a presión mediante conexiones elásticas de resortes (Spring Contact Technology). Funciona con una tensión nominal de ruptura de 1,200 V (1.2 kV) y una capacidad de corriente nominal de colector de 83 A en la etapa inversora (IGBT Trench 2 / Fieldstop de bajas pérdidas), integrando un puente rectificador trifásico a diodos de entrada de alta robustez, transistor de frenado dinámico y un sensor de temperatura NTC interno para supervisión térmica continua desde la tarjeta de control.

Specs

Fabricante: SEMIKRON (Semikron Danfoss)

Modelo / Referencia: SKiiP 83 HEC 125 T2 (SKIIP83HEC125T2 / Ident: 23153100)

Código de Producto / UNSPSC: 32111601 / 39122000 (Módulos de potencia IGBT / IGBT Modules)

Familia / Serie: Serie MiniSKiiP 8 (MiniSKiiP III - CIB Topology)

Tipo de Componente: Módulo de potencia CIB (Rectificador trifásico + Chopper de frenado + Inversor trifásico Sixpack + NTC)

Tipo de Montaje: Montaje por presión mecánica sobre disipador térmico mediante 4 tornillos de fijación pasantes y contacto elástico por resortes hacia la PCB

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Terminales de resorte elásticos (Spring contacts) soldados/apoyados por presión directamente contra los pads dorados de la PCB de control/potencia

Distribución de Pines / Bornes:

Terminales de Entrada Rectificadora: L1, L2, L3 (Entrada AC trifásica del puente de diodos)

Terminales del Bus de Continua: +DC (Bus positivo) y -DC (Bus negativo)

Terminales de Chopper / Frenado: B+ (Positivo hacia resistencia de frenado) y B- / Gate Chopper (Compuerta del IGBT de freno)

Terminales de Salida del Inversor: U, V, W (Fases de salida trifásica hacia motor)

Terminales de Compuerta y Emisor Auxiliar (Gate / Auxiliary Emitter): Conexiones dedicadas G1 a G6 y E1 a E6 para las 6 compuertas del inversor

Terminales de Termistor Térmico: T1, T2 (Pines de conexión para el sensor NTC interno)

Desglose de la Nomenclatura

SKiiP: Familia de semiconductores integrados SEMIKRON (Semikron Integrated Intelligent Power)

3: Topología del circuito: CIB (Converter, Inverter, Brake / 3 etapas de potencia)

HEC: Configuración de alta eficiencia con rectificador semicontrolado/diodos y chopper (High Efficiency Converter)

12: Tensión colector-emisor dividida entre 100: 1,200 V (1.2 kV)

5: Nivel de diseño y calibración de clase de corriente

T2: Generación tecnológica de chip semiconductor (tecnología Trench IGBT 2)

Especificaciones de la Etapa Inversora (Inverter IGBT)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1,200 V (a Tj = 25 °C)

Corriente Continua de Colector (IC):

A Ts = 25 °C: Aprox. 115 A a 120 A

A Ts = 70 °C / 80 °C: 83 A continuo

Corriente de Pico de Colector (ICRM): 166 A (tp = 1 ms)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):

Típico 1.90 V a 2.10 V (a IC = 83 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)

Típico 2.30 V (a IC = 83 A, VGE = 15 V, Tj = 125 °C)

Tensión Máxima Compuerta-Emisor (VGES): ±20 V

Energía de Pérdidas por Conmutación (Eon + Eoff): Aprox. 12 mJ a 16 mJ (a VCC = 600 V, IC = 83 A, Tj = 125 °C)

Especificaciones de la Etapa Rectificadora y Chopper de Freno

Tensión Repetitiva Inversa del Rectificador (VRRM): 1,600 V

Corriente Media en Directa del Rectificador (IFAV): Aprox. 80 A a 90 A (a Ts = 80 °C)

Corriente de Sobretensión de Pico del Rectificador (IFSM): Aprox. 700 A a 800 A (a 10 ms y Tj = 25 °C)

Tensión de Ruptura del IGBT de Chopper (VCES): 1,200 V

Corriente de Colector del Chopper (IC): Aprox. 50 A a 60 A continuo

Sensor Térmico NTC Integrado: Resistencia nominal R25 = 5 k? (tolerancia ±5%, valor B25/85 = 3,435 K o 3,950 K según lote)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Dimensiones Físicas: Aprox. 100.0 mm (largo) x 59.0 mm (ancho) x 16.0 mm (alto total con resortes)

Materiales: Carcasa de polímero técnico termorresistente de alta temperatura; sustrato de nitruro de aluminio (AlN) o DBC cerámico; resortes de contacto en aleación de cobre tratada

Fijación Mecánica: 4 tornillos de apriete sobre el disipador de calor (par de apriete recomendado: 2.0 N·m a 2.5 N·m)

Peso Aproximado: Aprox. 120 g a 150 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de Unión (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 2,500 VAC RMS (1 minuto, 50 Hz hacia la base/disipador)

Resistencia Térmica Unión a Disipador (Rth(j-s) Inversor): Aprox. 0.45 K/W a 0.55 K/W por IGBT

Normativas y Homologaciones: Homologación cULus (archivo E63532), directiva RoHS, libre de sustancias peligrosas según REACH

Etapa de potencia integral en variadores de frecuencia (VFD) para motores de 30 kW a 45 kW.

Servoconvertidores y módulos de control de movimiento multieje en maquinaria automatizada.

Fuentes de poder de alta potencia para equipos de soldadura inverter industrial.

Sistemas de bombeo solar y convertidores fotovoltaicos descentralizados.

Compresores y bombas de calor industriales en sistemas de climatización comercial (HVAC).