MCD200-18IO1

El módulo de potencia MCD200-18IO1 (también presentado como MCD200-18io1) de IXYS (Littelfuse) es un híbrido de tiristor y diodo (Thyristor / Diode Module) en configuración de rama de fase (Phase Leg), diseñado para aplicaciones de rectificación, control de fase y conmutación de alta corriente.

A diferencia de las series de doble tiristor (MCC), esta topología combina un tiristor controlado y un diodo de potencia en la misma cápsula, optimizando costos y simplificando el circuito de disparo en puentes semiconductores semi-controlados. Cuenta con la tecnología de sustrato aislante de cerámica de alúmina con cobre unido directamente (Direct Copper Bonded - DCB), que proporciona una excelente disipación térmica y una rigidez de aislamiento de 3,600 V CA para el montaje directo en disipadores.

Specs

Marca / Fabricante: IXYS (Littelfuse)

Número de Parte / Código: MCD200-18IO1 / MCD200-18io1

Tipo de Componente: Módulo semiconductor de potencia híbrido (Tiristor / Diodo)

Configuración: Rama de fase / Phase Leg (1 Tiristor + 1 Diodo en serie)

Estilo de Encapsulado: Y4-M6 / TO-240AA (Base metálica de cobre aislada)

Tecnología del Sustrato: Cerámica DCB (Direct Copper Bonded Al2O3)

Certificaciones y Cumplimiento: RoHS, cumple norma IEC 60747, UL registrado

Especificaciones Eléctricas

Tensión Inversa Máxima Repetitiva (VDRM / VRRM): 1,800 V

Corriente Eficaz de Estado Conductor (ITRMS / IFRMS): 340 A (por chip)

Corriente Promedio de Estado Conductor (ITAVM / IFAVM): 216 A (a TC = 85 °C, ángulo de conducción de 180°)

Corriente Máxima por Terminal (IRMS): 300 A

Corriente de Pico no Repetitiva (ITSM): 6,800 A (a 50 Hz, pulso de 10 ms, TJ = 45 °C)

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (VISOL): 3,600 V CA (durante 1 minuto)

Tensión de Puerta de Disparo (VGT): 2.0 V (a TJ = 25 °C)

Corriente de Puerta de Disparo (IGT): 150 mA (a TJ = 25 °C)

Caída de Tensión en Estado Conductor (VT / VF): ~1.20 V (a IT = 200 A, TJ = 25 °C)

Rendimiento y Mecánica

Resistencia Térmica Juntura a Carcasa (RthJC): 0.13 K/W (por semiconductor)

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador (RthCH): 0.05 K/W (con grasa de interfaz térmica)

Tipo de Terminales: Terminales roscados de potencia M6 (Pines planos para terminales de puerta/gatillo)

Torque de Montaje Recomendado: 2.25 a 2.75 N·m (Terminales M6) / 4.5 a 5.5 N·m (Montaje de base a disipador)

Peso Aproximado: 150 g

Condiciones Ambientales y Operativas

Rango de Temperatura de Operación (TJ): -40 °C a +125 °C (-40 °F a +257 °F)

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C (-40 °F a +257 °F)

Variadores de Frecuencia (VFD): En la etapa de rectificación de entrada.

Control de Motores DC: Rectificación controlada para motores de gran potencia en la industria papelera, siderúrgica o minera.

Fuentes de Poder Industriales: Equipos de galvanoplastia, electrólisis y soldadura de alta corriente.

Cargadores de Baterías de Gran Escala: Sistemas de carga para flotas de montacargas o bancos de baterías industriales.

Arrancadores Suaves (Soft Starters): Control de rampa de voltaje para motores de inducción de alto torque.

Puentes rectificadores semi-controlados de frecuencia de red (50/60 Hz).

Arrancadores suaves (Soft Starters) y variadores de velocidad para motores de CA.

Controladores de potencia y velocidad para motores de CD.

Fuentes de alimentación para procesos industriales, calentadores e iluminación.