Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- The Electrodes are Isolated from Case
- 6 IGBTs Built Into 1 Package
- Enhancemment-Mode
- Low Saturation Voltage
- VCE(sat) = 4.0V (Max.)
- High Speed :
- tf=0.5us(Max.)
- trr=0.5us(Max.)
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 15A/1200V/6U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT, SIX-PACK, 1200V, 15A, LONGPIN |
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