Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- High input impedance
- High speed :
- tf= 1.0us (Max.) trr=0.5us (Max.)
- Low saturation voltage :
- VCE(sat) = 2.7V (Max.)
- Enhancement mode
- The electrodes are isolated from case
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
|
Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 300A/1200V/1U |
Toshiba * Transistor |
Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
Si tienes alguna duda, por favor contáctanos por teléfono o por correo electrónico, con gusto te atenderemos.
Télefonos: (55) 70 30 13 43 o (55) 68 23 09 08
E-mail: ventas@ims-refacciones-industriales.com
|
|