Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- High Input Impedance
- High Speed : tf = 0.5 us (Max.) trr = 0.5us (Max.)
- Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
- Enhancement-Mode
- The Electrodes are Isolated from Case
| - Applications
- HIGH POWER SWITCHING
- MOTOR CONTROL
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 300A/1200V/1U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 300A 1200V SINGLE |
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Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
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