Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- High Input Impedance
- High Speed : tf=0.35us (Max)
- trr=0.15us (Max)
- Low Saturationn Voltage : VCE(sat)=3.5V (Max)
- Includes a Complete Half Bridge in One Package
- Enhancement-Mode
- The Electrodes are Isolated from Case
| - Applications
- HIGH POWER SWITCHING
- MOTOR CONTROL
|
Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 50A/600V/2U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 50A 600V DUAL |
---|
| |
|
Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
Si tienes alguna duda, por favor contáctanos por teléfono o por correo electrónico, con gusto te atenderemos.
Télefonos: (55) 70 30 13 43 o (55) 68 23 09 08
E-mail: ventas@ims-refacciones-industriales.com
|
|