Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- High input impedance
- High speed :
- tf=0.3us (Max.) @ Inductive load
- Low saturation voltage :
- VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
- Enhancement-mode
- Includes a complete half bridge in
- one package
- The electrodes are isolated from case
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 600A/1200V/1U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 600A 1200V SINGLE |
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