Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- Integrates inverter, brake power circuit
- and control circuits (IGBT drive units,
- protection units for over-current, under-voltage and over-temperature) in one package
- The Electrodes are Isolated from Case
- High speed type IGBT :
- VCE(sat) = 2.5 V (Max)
- toff = 3.0 us (Max)
- trr = 0.30 us (Max)
- Package dimensions : TOSHIBA 2-110A1A
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 75A/600V/7U |
Toshiba * Intelligent Power Module (IPM) Type : IPM 75A 600V 7-PACK |
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Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
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