Features | Aplicaciones |
- Low Loss IGBT MODULE
- Features
- MOS input (voltage controlled)
- N channel, homogeneous Silicon
- structure (NPT-Non punch-through IGBT )
- Low loss high density chip
- Low tail current
- High short circuit capability, self limiting to 6 x Icnom
- Latch-up free
- Fast & soft inverse CAL diodes
- Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology
- Large clearance ( 10 mm ) and creepage distances ( 20 mm )
| - Applications
- Switching (not for linear use)
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 100A/1200V/2U |
Semikron IGBT Type : IGBT 100A 1200V DUAL |
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Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
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