Features | Aplicaciones |
- TRENCH IGBT MODULE
- Features
- MOS input (voltage controlled)
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- Very low tail current with low temperature dependence
- High short circuit capability, self limiting to 6 x Icnom
- Latch-up free
- Fast & soft inverse CAL diodes
- DCB Direct Copper Bonding Technology
- Large clearance (13 mm) and creepage distances (20 mm)
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- Applications
- Switching (not for linear use)
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 200A/1200V/1U |
Semikron IGBTs Type : IGBT 200A 1200V HIGH CHOPPER |
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Type | Single | Vces | 1200 Volts DC | Ic | 180 Amps | Vges +/- | 20 | Ices Max | 0.3 MilliAmps | Vge(th) Min/Max | 4.5~6.5 Volts | Vce(sat) Max | 3 Volts | Height (mm) | 30.5 | Width (mm) | 106.4 | Depth (mm) | 61.4 |
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Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
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