1D600A-030A

El 1D600A-030A de Fuji Electric (familia de módulos de transistores de potencia de silicio Darlington / High-Power Bipolar Darlington Transistor Modules) es un módulo de potencia semiconductor de alta corriente de un solo elemento (Single-Transistor / 1-in-1 Darlington Power Module), diseñado para aplicaciones pesadas de conmutación de potencia en convertidores de tracción, fuentes conmutadas industriales de gran capacidad, choppers para vehículos eléctricos de batería, variadores de frecuencia de baja tensión y etapas de control de velocidad para motores de CC.

Construido en una cápsula aislada de alta resistencia mecánica con base de cobre niquelado para montaje directo sobre disipador térmico, este módulo integra un par Darlington bipolar NPN de alta ganancia con un diodo de rueda libre (Free-Wheeling Diode - FWD) de recuperación rápida conectado en antiparalelo entre colector y emisor. Soporta una tensión de bloqueo colector-emisor de 300 V y una corriente nominal continua de colector de 600 A (con tolerancia a picos transitorios de hasta 1200 A), ofreciendo una alta ganancia hFE, un aislamiento dieléctrico reforzado de 2500 VAC hacia la placa base y bornas roscadas robustas para conexión directa de barras colectoras de potencia.

Specs

Fabricante: Fuji Electric Co., Ltd.

Modelo / Referencia: 1D600A-030A

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111705 / Módulos de transistores Darlington de potencia)

Familia / Serie: Fuji Power Transistor Modules (Darlington Series)

Tipo de Componente: Módulo de transistor de potencia Darlington de 1 elemento (Single Darlington Power Module with FWD)

Configuración Interna: 1 transistor Darlington NPN con diodo antiparalelo de libre circulación integrado

Tipo de Montaje: Fijación por tornillos sobre disipador térmico (Heatsink Mount)

Desglose de la Nomenclatura

1: Configuración de 1 elemento / transistor individual (1-in-1)

D: Transistor de potencia bipolar tipo Darlington

600: Corriente nominal continua de colector de 600 A

A: Serie de diseño y generación de cápsula Fuji

-030: Tensión asignada colector-emisor de 300 V (30 x 10 V)

A: Revisión / variante constructiva mecánica y de terminales de conexión

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Colector-Base (VCBO): 300 V

Tensión Colector-Emisor (VCER, RBE = 30 ? / VCEX): 300 V

Tensión Colector-Emisor Sustentada (VCEO(SUS)): Aprox. 250 V a 300 V

Tensión Emisor-Base (VEBO): 6.0 V a 7.0 V

Corriente Continua de Colector (IC): 600 A

Corriente de Colector de Pico (ICP): 1200 A (pulso de 1 ms)

Corriente Continua de Base (IB): Aprox. 30 A a 36 A

Corriente Continua Directa del Diodo (IF): 600 A

Disipación Total de Potencia (PC): Aprox. 2000 W a 2500 W (a Tc = 25 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 2500 VAC (50/60 Hz durante 1 minuto entre terminales y placa base)

Características Eléctricas de Operación

Corriente de Fuga Colector-Base (ICBO): Menor o igual a 2.0 mA (a VCB = 300 V)

Corriente de Fuga Emisor-Base (IEBO): Menor o igual a 400 mA (a VEB = 6 V)

Ganancia de Corriente Continua (hFE): Mínimo 100 a 200 (a IC = 600 A, VCE = 5 V)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 1.5 V a 2.0 V (a IC = 600 A, IB = 6 A - 12 A)

Tensión de Saturación Base-Emisor (VBE(sat)): Menor o igual a 2.5 V a 3.0 V (a IC = 600 A, IB = 12 A)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típico 1.5 V a 2.0 V (a IF = 600 A)

Tiempos de Conmutación Dinámica

Tiempo de Encendido (ton): Aprox. 2.0 µs a 3.0 µs

Tiempo de Almacenamiento (tstg): Aprox. 10 µs a 15 µs

Tiempo de Caída (tf): Aprox. 2.0 µs a 3.5 µs

Tiempo de Recuperación Inversa del Diodo (trr): Aprox. 0.5 µs a 1.5 µs

Propiedades Mecánicas y Térmicas

Dimensiones Físicas: Aprox. 108 mm a 130 mm (largo) x 62 mm a 70 mm (ancho) x 40 mm a 52 mm (alto)

Material de la Placa Base: Cobre electrolítico de alta conductividad con recubrimiento niquelado

Terminales Principales (Colector / Emisor): Bornas roscadas para tornillos métricos M6 / M8 para conexión de barras de cobre

Par de Apriete al Disipador: 3.0 N·m a 4.0 N·m

Par de Apriete en Terminales de Potencia: 3.5 N·m a 4.5 N·m

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Transistor): Aprox. 0.05 °C/W a 0.06 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Aprox. 0.12 °C/W a 0.15 °C/W

Peso Aproximado: Aprox. 600 g a 850 g

Choppers de potencia y accionamientos de tracción para montacargas, carretillas elevadoras y vehículos eléctricos de batería.

Fuentes de alimentación conmutadas industriales de alta corriente y rectificadores para galvanoplastia.

Etapas de control y regulación de velocidad para grandes motores de corriente continua (DC Drives).

Equipos de soldadura industrial por arco y sistemas de respaldo de energía ininterrumpida (UPS).