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CM1000DX-24T

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MODULOS IGBT

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DatasheetCM1000DX-24T

1000A/1200V

MITSUBISHI

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Features

El CM1000DX-24T es un módulo de potencia de última generación basado en transistores IGBT (Dual IGBT Power Module) de grado industrial rudo, diseñado y fabricado en Japón por Mitsubishi Electric (líder global indiscutible en semiconductores de alta potencia).

Este módulo es una pieza de fuerza masiva en la planta. Su función principal es actuar como un interruptor electrónico de estado sólido de alta velocidad y enorme amperaje. Se encarga de conmutar y modular corrientes directas gigantescas para transformarlas en señales de corriente alterna variables. Esto permite gobernar con total precisión el torque y la velocidad de motores trifásicos gigantescos, servomotores de gran tonelaje e inversores de energía renovable de alta potencia.

1. Desglose Estricto del Código de Modelo (Nomenclatura Mitsubishi)

Cada sigla grabada con láser en el chasis de resina termoestable define estrictamente la topología del silicio y los límites de potencia de la refacción:

CM: Identifica a la legendaria línea de módulos de transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT Modules) de Mitsubishi Electric.

1000: Especifica la corriente nominal de diseño del silicio. El dispositivo es capaz de conducir una corriente continua masiva de hasta 1000 Amperios (A) constantes a través de sus terminales de fuerza.

DX: Define la configuración o topología interna del circuito. Indica que es un módulo de tipo Dual (Half-Bridge / Medio Puente), lo que significa que aloja dos IGBTs conectados en serie en un solo chasis para cubrir una fase de salida completa (rama superior e inferior).

-24T: Determina el voltaje máximo y la familia tecnológica:

El número 24 multiplicado por el factor estándar de la marca (50) equivale a un voltaje de bloqueo máximo de 1200 Voltios (V). Esto le permite operar con total seguridad en el Bus de CD de variadores alimentados por redes trifásicas pesadas de 440V y 480V CA.

La letra T confirma que los chips de silicio internos pertenecen a la Serie T, la generación más avanzada de Mitsubishi que incorpora compuertas CSTBT (tecnología de trinchera fina) que reducen drásticamente las pérdidas por conmutación y el consumo de energía.

2. Datos Eléctricos y Especificaciones de Fuerza

Las capacidades de ingeniería integradas en las obleas de silicio del CM1000DX-24T definen sus límites de operación segura frente a las exigencias de la planta:

Voltaje Colector-Emisor Má

Corriente de Colector Continua (Ic): 1000 A operando bajo régimen constante con el disipador térmicamente controlado a 100 grados Celsius. Soporta picos de corriente transitorios por milisegundos de hasta 2000 A.

Configuración del Circuito Interno: Medio puente trifásico con dos diodos de libre circulación de recuperación rápida (FWD - Free Wheeling Diode) integrados en antiparalelo sobre cada IGBT para proteger el silicio contra los retornos de energía inductiva del motor.

Termistor NTC Integrado: Aloja un sensor de temperatura interno pegado directamente sobre el sustrato cerámico de los chips. Permite que la tarjeta de control del drive mida en tiempo real el calentamiento exacto del silicio para gatillar alarmas de protección térmica antes de una avería fatal.

3. Arquitectura del Chasis y Código de Terminales

El mó

Terminales de Fuerza Principales (Tornillos M6/M8 pesados):

C1: Conexión al Bus de Corriente Directa Positivo (+).

C2E1 (Salida): Terminal central de fase que se cablea directamente hacia una de las tres fases del motor eléctrico (Fase U, V o W).

E2: Conexión al Bus de Corriente Directa Negativo (-).

G1 y E1: Compuerta (Gate) y Emisor de control del IGBT de la rama superior. Aquí se inyectan los pulsos de voltaje (+15V / -15V) procedentes de la tarjeta de drivers para encender o apagar el transistor.

G2 y E2: Compuerta y Emisor de control del IGBT de la rama inferior.

T1 y T2: Terminales de salida del sensor de temperatura NTC interno.

Aplications

Gracias a su masiva capacidad de 1000 Amperios a 1200 Voltios, este módulo Mitsubishi es la refacción central en:

Variadores de Frecuencia (VFD) Megavatios: Etapa de inversión de drives gigantescos (típicamente de más de 400 HP a 600 HP) utilizados en molinos de cemento, trituradoras de piedra y estaciones de bombeo de agua municipales.

Inversores de Energía Solar Centralizados: Sistemas de conversión de potencia a gran escala en parques solares que inyectan megawatts de energía directa hacia la red eléctrica de alta tensión.

Sistemas de Tracción Eléctrica y Maquinaria Ferroviaria: Inversores de fuerza para motores de locomotoras, barcos y camiones de minería fuera de carretera.

Fuentes de Poder para Hornos de Inducción de Alta Frecuencia: Conmutación rápida para sistemas de fundición de acero y tratamiento térmico de metales.

MITSUBISHI
CM1000DX-24T

Specific References

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