IFS100B12N3E4P_B11

El IFS100B12N3E4P_B11 (o IFS100B12N3E4P-B11) de Infineon Technologies AG es un módulo de potencia inteligente de seis transistores IGBT (Sixpack / Three-Phase Inverter IGBT Module) perteneciente a la familia MIPAQ™ sense / EconoPACK™, diseñado para etapas de potencia en inversores trifásicos y accionamientos de motores de alta eficiencia.

Diseñado para operar con una tensión colector-emisor nominal de 1200 V (VCES) y una corriente continua de colector de 100 A (IC), este módulo incorpora tecnología de chip TRENCHSTOP™ IGBT4 con diodos de libre circulación Emitter Controlled 4, caracterizados por bajas pérdidas de conmutación y conducción, así como un coeficiente térmico positivo para fácil paralelización. Integra resistencias de derivación (Shunts) calibradas de alta precisión en las ramas de salida para medición directa de corriente sin necesidad de sensores Hall externos, termistor NTC para monitorización térmica interna, material de interfaz térmica preaplicado de fábrica (P - Pre-applied TIM) para optimizar la transferencia de calor al disipador y aislamiento galvánico de 2500 VAC.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies AG (Alemania)

Modelo / Referencia Completa: IFS100B12N3E4P_B11 (IFS100B12N3E4P_B11 / IFS100B12N3E4P-B11)

Familia / Serie: Serie MIPAQ™ sense / EconoPACK™ (Módulos IGBT4 con shunts integrados y TIM)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT trifásico (Sixpack) con resistencias shunt y TIM

Desglose de la Nomenclatura

IFS: Módulo con resistencias de derivación de corriente integradas (Infineon Integrated Shunt Module)

100: Corriente continua nominal de colector de 100 A

B: Configuración de puente inversor trifásico de 6 interruptores (Sixpack / B6 Topology)

12: Tensión máxima colector-emisor de 1200 V (12 x 100 V)

N3: Configuración específica de circuitería y pines de sensado

E4: Tecnología de semiconductores Trench/Fieldstop IGBT4 con diodo Emitter Controlled 4

P: Material de interfaz térmica preaplicado de alto rendimiento (Pre-applied TIM)

_B11: Variante de encapsulado, contactos PressFIT / soldables y revisió

Especificaciones Eléctricas Principales (IGBT / Inversor)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Corriente Continua de Colector (IC): 100 A (a TC = 100 °C) / aprox. 150 A (a TC = 25 °C)

Corriente de Pico Repetitiva de Colector (ICRM): 200 A (durante 1 ms)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):

Típica 1.75 V a 1.85 V (a IC = 100 A, VGE = 15 V, Tvj = 25 °C)

Aprox. 2.05 V (a Tvj = 150 °C)

Tensión Puerta-Emisor Máxima (VGES): +/- 20 V

Capacidad de Resistencia al Cortocircuito (tsc): Mínimo 10 µs (a VCC = 800 V, VGE <= 15 V, Tvj <= 150 °C)

Disipación Total de Potencia (Ptot): Aprox. 515 W por IGBT (a TC = 25 °C)

Especificaciones del Diodo de Libre Circulación (FWD)

Tensión Inversa Repetitiva de Pico (VRRM): 1200 V

Corriente Directa Continua (IF): 100 A

Corriente de Sobrecarga de Pico (IFRM): 200 A (1 ms)

Tensión Directa de Conducción (VF): Típica 1.70 V a 1.75 V (a IF = 100 A, Tvj = 25 °C)

Sensado de Corriente (Shunts Integrados) y Sensor NTC

Tipo de Sensado de Corriente: Resistencias de derivación (shunts) de precisión integradas en las tres ramas de fase

Tolerancia del Shunt: Resistencia calibrada con coeficiente de temperatura casi nulo para medición de corriente directa sin sensores Hall

Sensor de Temperatura Integrado: Termistor NTC para monitorización en tiempo real del sustrato

Resistencia Nominal del NTC: 5.0 kOhmios (+/- 5% a 25 °C)

Constante B (B25/50): 3375 K (+/- 1%)

Rendimiento Térmico y Aislamiento

Material de Interfaz Térmica (TIM): Preaplicado de fábrica (garantiza espesor homogéneo y elimina huecos de aire)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (RthJC): Aprox. 0.29 K/W por IGBT; aprox. 0.48 K/W por diodo

Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (RthCH con TIM): Reducida notablemente respecto a pastas térmicas convencionales (aprox. 0.08 K/W a 0.12 K/W)

Temperatura de Unión Máxima en Operación (Tvj op): -40 °C a +150 °C (máximo transitorio Tvj max = 175 °C)

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (VISOL): 2500 VAC (50 Hz durante 1 minuto entre terminales y placa base)

Especificaciones Mecánicas y de Montaje

Tipo de Encapsulado: Carcasa compacta industrial EconoPACK™ / MIPAQ™

Tecnología de Conexión: Pines para circuito impreso (PressFIT o pines de soldadura de baja inductancia parásita)

Orificios de Montaje al Disipador: Fijación mediante tornillos métricos M5

Par de Apriete al Disipador: 3.0 Nm a 6.0 Nm

Material de la Placa Base: Cobre de alta pureza niquelado con aislamiento cerámico DCB (Direct Copper Bonded)

Dimensiones Aproximadas: Aprox. 122 mm (largo) x 62 mm (ancho) x 17 mm (alto)

Peso Aproximado: 300 g a 350 g

Certificaciones y Estándares

Aislamiento Eléctrico: Reconocido bajo norma UL (UL 1557 / File E83335)

Normativas y Homologaciones: Marcado CE, compatibilidad con directiva RoHS y cumplimiento con estándares IEC 60747-9

Variadores de frecuencia (VFD) y convertidores de velocidad para motores trifásicos de CA (hasta 30 kW a 45 kW).

Servocontroladores multieje y etapas de potencia en sistemas de automatización industrial.

Inversores para bombas solares y sistemas de bombeo industrial.

Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) de media potencia y convertidores para energía eólica/solar.

Sistemas de climatización industrial (chillers, compresores y HVAC de alta eficiencia).