SKM100GB12T4

El Semikron SKM100GB12T4 es un módulo de potencia dual tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) que pertenece a la reconocida familia de encapsulados SEMITRANS 2 de Semikron. Está diseñado con la tecnología de chip IGBT4 (de compuerta de trinchera y tope de campo), la cual ofrece un excelente equilibrio entre velocidad de conmutación, robustez ante cortocircuitos y bajas pérdidas de energía.

Datos Eléctricos Más Importantes

Configuración: Dual. Integra dos IGBTs conectados en serie para formar una sola rama de medio puente o Half-Bridge.

Corriente Nominal de Colector (Ic): 100 Amperios continuos operando a una temperatura de carcasa controlada de 80 °C (puede manejar hasta 145 Amperios si la carcasa se mantiene a 25 °C).

Voltaje Máximo Colector-Emisor (Vces): 1200 Voltios (1.2 kV). Este rango lo hace ideal para sistemas industriales conectados a redes trifásicas de 380V, 440V y 480V AC, donde el bus de corriente directa (DC) suele rondar los 600V a 800V.

Voltaje de Saturación (Vce sat): Típicamente 1.85 Voltios. Al ser un valor bajo, reduce significativamente el calentamiento del módulo por pérdidas de conducción.

Capacidad de Cortocircuito: El chip IGBT4 está diseñado para tolerar cortocircuitos directos de hasta 10 microsegundos, permitiendo que las protecciones electrónicas actúen antes de que el módulo se destruya.

Características Físicas y Construcción

Encapsulado SEMITRANS 2: Es un diseño estándar de la industria (compatible en dimensiones con la mayoría de los módulos de 62 mm de otras marcas), caracterizado por su perfil plano y terminales superiores de tornillo robustas.

Base de Cobre Aislada: La placa inferior utiliza una base de cobre combinada con un sustrato cerámico de óxido de aluminio (Al2O3). Esto proporciona una excelente transferencia térmica hacia el disipador y un aislamiento eléctrico de hasta 4000 Voltios AC por un minuto.

Diodos CAL4 Integrados: Cada uno de los dos IGBTs está protegido en paralelo inverso por un diodo de libre circulación con tecnología CAL (Controlled Axial Lifetime), que destaca por su suave recuperación y bajas corrientes de pico inversas.

Diagrama de Conexiones Internas

El módulo viene interconectado internamente para formar una sola fase. La distribución de sus terminales principales es la siguiente:

Terminal 1 (C1): Colector del IGBT superior. Se conecta directamente a la línea positiva del bus de corriente directa (+).

Terminal 2 (C2E1): Punto de unión central (Emisor del IGBT superior conectado al Colector del IGBT inferior). Esta terminal es la salida de fuerza hacia la fase del motor o la carga.

Terminal 3 (E2): Emisor del IGBT inferior. Se conecta a la línea negativa del bus de corriente directa (-).

1. Variadores de Frecuencia Industriales (VFD)

Es uno de los módulos más utilizados en las etapas inversoras de variadores de velocidad para motores eléctricos trifá

2. Servodrives de Alta Precisión

Se emplea en sistemas de control de movimiento automatizados (como brazos robóticos industriales, máquinas CNC o líneas de empaque), donde se requiere una conmutación rápida y lineal para controlar la posición y torque del motor.

3. Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS) y UPS

Forma parte de los inversores de alta potencia en sistemas de respaldo de energía (UPS) comerciales o fuentes de alimentación industriales, encargados de recrear una onda senoidal pura y estable a partir de bancos de baterías.

4. Sistemas de Soldadura Inverter de Alta Gama

Utilizado en la etapa de potencia principal de máquinas de soldar industriales de servicio pesado, permitiendo regular la corriente de arco de forma instantánea.