SKM400GA123D

Módulo de Potencia de IGBT Simple con Diodo Anti-Paralelo

Módulo semiconductor de potencia que integra un único transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y un diodo rápido anti-paralelo en un encapsulado robusto y aislado. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en sistemas de media y alta potencia, donde se requiere control preciso y robustez en entornos industriales exigentes.

Configuración: Un IGBT y un diodo rápido anti-paralelo en configuración de chopper o medio puente.

Tecnología IGBT: Utiliza IGBTs de última generación (Trench/Field-Stop) para bajas pérdidas de conducción (Vce(sat)) y conmutación.

Diodo de Libre Circulación (FWD): Diodo rápido de recuperación suave para manejar corrientes reactivas en cargas inductivas (motores).

Voltaje Colector-Emisor (VCES): Comúnmente 600V, 1200V, o 1700V (para redes de 230V, 400V y 690V AC).

Corriente de Colector (IC): Varía según el modelo, desde 10A hasta más de 100A.

Aislamiento: Base de sustrato cerámico (DCB - Direct Copper Bonded) que proporciona aislamiento galvánico (?2500 Vrms) entre el chip y el disipador.

Temperatura de Operación: Unión máxima (Tjmax) típicamente de 150°C o 175°C.

Encapsulado: Carcasa aislante de PPS (con alta resistencia al rastreo eléctrico - CTI) para seguridad y durabilidad.

Su diseño modular ofrece una solución termo-mecánicamente superior a los discretos, con mejores características de disipación de calor, menor inductancia parásita y mayor facilidad de instalació

Variadores de frecuencia (VFDs) para control de motores.

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia.

Sistemas de soldadura por inversión.

Controladores de motores en electrodomésticos de gama alta.

Sistemas UPS e inversores solares.

Contactores estáticos y llaves de transferencia.