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PSKH95/16IO1

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MODULOS DE POTENCIA

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DatasheetPSKH95/16IO1

95A 1600V

POWERSEM

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Alternativas del producto : MCD95-18IO1B

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Features

El PSKH95/16IO1 de POWERSEM (serie PSKH / Thyristor/Diode Modules) es un módulo de potencia híbrido de dos ramas tiristor-diodo en serie (Half-Controlled Bridge Arm / Thyristor-Diode Module), diseñado para etapas de rectificación semicontrolada, control de potencia de corriente continua, variadores de velocidad para motores de CC, arrancadores suaves (soft starters) y control de temperatura en hornos industriales.

Fabricado en un encapsulado modular estándar industrial con placa base aislada mediante sustrato cerámico de alúmina (DBC) para montaje directo sobre disipador térmico, integra un tiristor de control de fase y un diodo rectificador conectados internamente en cátodo común o serie (rama de puente semicontrolado). Soporta una tensión repetitiva máxima de bloqueo en estado inverso y desactivado de 1600 V y una corriente nominal media en conducción de 95 A a 85 °C (corriente eficaz IT(RMS) de hasta 165 A), ofreciendo terminales de potencia de tornillo de alta robustez, aislamiento galvánico de 3000 VAC y terminales rápidos tipo Faston para puerta y cátodo auxiliar.

Specs

Fabricante: POWERSEM GmbH

Modelo / Referencia: PSKH95/16IO1 (PSKH 95/16 io1)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111706 / Módulos de potencia tiristor-diodo / Power Modules)

Familia / Serie: Serie PSKH (Thyristor / Diode Modules)

Tipo de Componente: Módulo rectificador semicontrolado tiristor-diodo (Thyristor-Diode Module)

Configuración Interna: Rama de medio puente semicontrolado (1 Tiristor + 1 Diodo en serie/antiparalelo)

Tipo de Montaje: Fijación por tornillos sobre disipador térmico mediante placa base metálica aislada

Desglose de la Nomenclatura

PSK: Módulo semiconductor de potencia POWERSEM (Power Semiconductor)

H: Configuración de topología interna (rama tiristor-diodo / Half-controlled bridge leg)

95: Corriente nominal media en estado de conducción de 95 A (ITAV / IFAV a Tc = 85 °C)

/16: Tensión asignada repetitiva de pico de 1600 V (16 x 100 V)

IO1 / io1: Variante constructiva y disposición de terminales de conexión

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Repetitiva de Pico de Bloqueo (VDRM / VRRM): 1600 V

Tensión no Repetitiva de Pico (VDSM / VRSM): 1700 V

Corriente Nominal Media Directa (ITAV / IFAV): 95 A (a Tc = 85 °C)

Corriente Eficaz de Operación (ITRMS / IFRMS): Aprox. 150 A a 165 A

Corriente de Sobretensión no Repetitiva (ITSM / IFSM): Aprox. 2000 A a 2250 A (pulso sinusoidal de 10 ms a Tj = 125 °C)

Valor Integral de Corriente (I²t): Aprox. 20,000 A²s a 25,000 A²s (para cálculo y selección de fusibles de respaldo)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 3000 VAC (50 Hz, 1 minuto entre terminales y placa base)

Características de Disparo de Puerta (Tiristor)

Tensión de Disparo de Puerta (VGT): Menor o igual a 2.0 V a 2.5 V (a Tj = 25 °C)

Corriente de Disparo de Puerta (IGT): Aprox. 100 mA a 150 mA (a Tj = 25 °C)

Tensión de No Disparo de Puerta (VGD): 0.25 V (a Tj = 125 °C)

Tasa Crítica de Subida de Tensión en Bloqueo (dv/dt): Mínimo 1000 V/µs (a Tj = 125 °C)

Tasa Crítica de Subida de Corriente de Disparo (di/dt): Mínimo 150 A/µs

Características Eléctricas en Conducción

Tensión de Caída en Conducción del Tiristor (VT): Típico 1.4 V a 1.6 V (a IT = 250 A, Tj = 25 °C)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típico 1.3 V a 1.5 V (a IF = 250 A, Tj = 25 °C)

Corriente Inversa y de Fuga de Bloqueo (IDRM / IRRM): Menor o igual a 10 mA (a VDRM / VRRM, Tj = 125 °C)

Propiedades Térmicas y Mecánicas

Formato de Carcasa: Envolvente modular industrial estándar atornillable

Dimensiones Físicas: Aprox. 92 mm a 94 mm (largo) x 20 mm a 34 mm (ancho) x 30 mm (alto)

Terminales de Potencia: Terminales de tornillo métrico M5 cautivos

Terminales de Señal / Control: Terminales planos tipo lengüeta Faston de 2.8 mm x 0.8 mm para puerta y cátodo

Material de Aislamiento Interno: Sustrato cerámico Al?O? con unión directa de cobre (DBC)

Par de Apriete a la Base / Disipador: 4.0 N·m a 5.0 N·m

Par de Apriete de los Bornes de Potencia: 3.0 N·m a 4.0 N·m

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.28 °C/W por elemento

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Peso Aproximado: Aprox. 120 g a 160 g

Condiciones Ambientales y Normativas

Aislamiento Eléctrico: Reconocido bajo norma UL

Conformidad Medioambiental: Marcado CE, directiva RoHS

Aplications

Puentes rectificadores semicontrolados monofásicos y trifásicos en fuentes de CC industriales.

Control de velocidad y frenado en convertidores de cuatro cuadrantes para motores de corriente continua.

Arrancadores suaves de estado sólido (Soft Starters) para motores de inducción.

Controladores de potencia por ángulo de fase para resistencias de calentamiento industrial y hornos.

Cargadores de baterías de gran capacidad y bancos de alimentación ininterrumpida.

POWERSEM
PSKH95/16IO1

Specific References

MPN
PSKH95/16IO1
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