Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL MOS TYPE
- Features
- Low Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=3.0 Ohms (typ.)
- High Forward Transfer Admittance : Yfs = 2.0 S (Typ.)
- Low leakage Current : IDSS = 300 uA (Max.) (VDS=800V)
- Enhancement-Mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS=10V, ID=1mA)
| - Applications
- High Speed
- High Current Switching
- DC-DC Converter
- Motor Drive
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 3A/1000V/1U |
Toshiba * Transistor Type : Mosfet, N-Channel, 1000V, 5A, TO-3PB
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