Features | Aplicaciones |
- Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS
- Features
- 4 V gate drive
- Low drain-source On resistance : RDS (ON) = 66 mOHMS (typ.)
- High forward transfer adminttance : |Yfs| = 16 S (typ.)
- Low leakage current : IDSS = 100 uA (max.) (VDS = 100 V)
- Enhancement-mode : Vth = 0.8 @ 2.0 V (VDS = 10C, ID = 1 mA)
| - Applications
- Chopper Regulator
- DC-DC converters and Motor Drive
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 20A/100V/1U |
Miscellaneous * Semiconductor |
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