Features | Aplicaciones |
- Silicon N-channel Power F-MOS FET
- Features
- Low ON resistance RDS (on) : RDS (on) = 1.2 Ohms (typ.)
- High switching rate : tf = 60ns (typ.)
- No secondary breakdown
- High breakdown voltage, large power
| - Applications
- No contact relay
- Solenoid drive
- Motor drive
- Control equipment
- Switching power source
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 4A/600V/1U |
Matsushita * Renewal Part Type : TRANSISTOR, SEE ALT/SUB |
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