Features | Aplicaciones |
- Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT)
- Features
- NPT generation V IGBT technology
- Square RBSOA
- HEXFRED low Qrr, low switching energy
- Positive VCE(on) temperature coefficient
- Fully isolated package
- Speed 8 kHz to 60 kHz
- Very low internal inductance (<5 nH typical)
- Industry standar outline
- UL aproved file E78996 RU
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 75A/1200V/1U |
Vishay IGBTs Type : IGBT,SOT-227,1200V,75A,Single VS-GB75DA120UP |
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Type | Single | Vces | 1200 Volts DC | Ic | 75 Amps | Vges +/- | 20 | Ices Max | 0.25 MilliAmps | Iges Max | 0.2 MicroAmps | Vge(th) Min/Max | 4~6 Volts | Vce(sat) Max | 3.8 Volts | Height (mm) | 12 | Width (mm) | 38 | Depth (mm) | 25.5 | Approvals | UL |
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