Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- The Electrodes are Isolated from Case
- High Input Impedance
- Enhancement-Mode
- High Speed :
- tf=0.30us (Max.) (IC=800A)
- trr=0.5us (Max.) (IF=800A)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC=800A)
- Outline : TOSHIBA 2-109E1A
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 800A/600V/1U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 800A 600V SINGLE |
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