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SKT1200/12E

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SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE

Última actualización

DatasheetSKT1200/12E

1200A/1200V/1U

SEMIKRON

Delivery time : 1-2 semanas.

Alternativas del producto : SKT1200/18E ST1230C18K0L

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  Política de entrega

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Features

El SKT1200/12E es un tiristor de control de fase de gran potencia (SCR) diseñado para aplicaciones pesadas de rectificación y conmutación en redes eléctricas industriales. Fabricado por la firma alemana Semikron, este semiconductor se presenta en un encapsulado hermético tipo cápsula o disco (press-pack).

Su diseño carece de terminales soldados internos, por lo que depende de una prensa mecánica externa para asegurar el contacto eléctrico y térmico por ambas caras (double-side cooling). Pertenece a la serie E de alta tensión, lo que garantiza una extraordinaria robustez frente a sobretensiones y corrientes transitorias masivas.

Parámetros Eléctricos Importantes

Este tiristor está dimensionado para gestionar densidades de energía extremas en líneas industriales de baja y media tensión:

Voltaje Reverso Máximo Repetitivo (Vrrm) y de Bloqueo Directo (Vdrm): 1200 Voltios (V) (indicado por el código 12 en su nomenclatura). Es el umbral de tensión que el dispositivo puede bloquear de forma segura en estado de apagado.

Corriente Media en Estado de Conducción (It av): 1200 Amperios (A) operando a una temperatura de carcasa controlada de 85 °C (asociado al código 1200).

Corriente RMS en Estado de Conducción (It rms): Hasta 2300 Amperios (A) bajo condiciones óptimas de disipación a doble cara.

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (Itsm): Capacidad para resistir un pulso transitorio de cortocircuito masivo de hasta 24,500 Amperios (24.5 kA) en un intervalo de 10 milisegundos (a 50 Hz).

Velocidad Crítica de Elevación de Voltaje (dv/dt): 1000 Voltios por microsegundo, proporcionando una excelente inmunidad contra disparos involuntarios causados por armónicos o ruidos en la red.

Velocidad Crítica de Elevación de Corriente (di/dt): 200 Amperios por microsegundo en el momento del cebado o encendido.

Corriente de Disparo de Compuerta Mínima (Igt): Hasta 250 miliamperios (mA) a una temperatura ambiente de 25 °C para garantizar que la oblea de silicio pase por completo al estado de conducción.

Dimensiones Físicas y Montaje Mecánico

El diseño plano tipo press-pack maximiza la superficie útil de contacto, reduciendo la resistencia serie y optimizando la transferencia térmica hacia los disipadores:

Tipo de Encapsulado: Cápsula cerámica hermética para montaje por presión (Estándar de carcasa Semikron: TO-200AD o similar).

Diámetro Total Exterior: Aproximadamente 73 a 75 milímetros (mm).

Diámetro de las Superficies de Contacto (Ánodo/Cátodo): Cerca de 47 a 50 mm.

Espesor o Altura Total del Disco: Aproximadamente 26 mm.

Fuerza de Sujeción Mecánica Requerida: Para evitar la fatiga por expansión térmica y garantizar la conductividad, debe aplicarse una fuerza de compresión externa calibrada mediante abrazaderas pesadas (clamps) de entre 22 y 28 kilonewtons (kN) (equivalente a aplicar entre 2.2 y 2.8 toneladas de presión).

Conexiones e Interfaz de Control

La arquitectura interna está optimizada para la distribución uniforme de la corriente, evitando la formación de puntos calientes locales:

Estructura Multicapa de Silicio: Oblea monolítica de silicio de gran diámetro con una disposición de cuatro capas semiconductoras dopadas alternadamente (P-N-P-N).

Terminales de Potencia Principales: Las dos caras circulares metálicas planas del encapsulado exterior actúan directamente como el Ánodo y el Cátodo. Las barras colectoras de cobre de la instalación se prensan directamente contra estas superficies.

Conexión de Control (Compuerta/Gate): Dispone de un cable flexible con terminal tipo faston o un pin metálico ubicado en la banda aislante de cerámica central. Internamente cuenta con una geometría de compuerta amplificadora (amplifying gate) que utiliza la propia corriente de la línea de fuerza para propagar el encendido de forma simétrica por todo el silicio en pocos microsegundos.

Aplications

Debido a su colosal capacidad de corriente (1200 A continuos) y voltaje de 1200 V, el SKT1200/12E es un componente clave en:

Rectificadores Industriales de Gran Escala: Puentes controlados de tiristores para subestaciones de soldadura pesada, sistemas de electrólisis química y plantas de fundición o electrodeposición de metales.

Arrancadores Suaves de Motores de Alta Potencia (Soft Starters): Control de arranque progresivo para motores eléctricos trifásicos gigantescos utilizados en la industria minera, molinos de cemento y trituradoras de roca.

Controladores de Velocidad para Motores de CD (DC Drives): Regulación precisa de velocidad y torque para motores de corriente directa de gran caballaje en trenes de laminación de acero y plantas papeleras.

Sistemas de Calefacción por Inducción Electromagnética: Regulación del paso de energía en hornos de fundición de metales y tratamientos térmicos industriales de alta frecuencia.

Interruptores de Estado Sólido de Corriente Alterna: Reemplazo de contactores electromecánicos de gran escala para conmutar de forma rápida y sin arcos eléctricos cargas inductivas o resistivas masivas en la red industrial.

Semikron Phase Control SCRs, SKT1200 Series

Semikron

SKT1200/12E

SCR, TO-200AD, 1200V, 1200A ; Package Style; TO-200AD

Vrrm (volts); 1200 Volts

Vdrm (volts); 1200 Volts

It (rms) Amps; 2800 Amps

It (avg) Amps; 1200 Amps

Itsm Amps; 30000 Amps

di/dt (A/microseconds); 125

dv/dt (V/microseconds); 1000

I2T@50Hz (A2Sec); 4500000

Vtm (volts); 1.65 Volts

tq (microseconds); 250 MicroSeconds

Irrm Peak (mA); 100 MilliAmps

Idrm Peak (mA); 100 MilliAmps

Igt (mA); 250 MilliAmps

Vgt (volts); 3 Volts

Puck Size (h x dia.) in.; 1x3

Junction Temp.; 257 Degrees F

Mounting Force; 22~25 kN

RoHS; Yes

Diag. No.; SEKG_SCR_DIAG_B14

SEMIKRON
SKT1200/12E

Specific References

MPN
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