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K30H603

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TRANSISTORES DE POTENCIA

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DatasheetK30H603

600V/30A

INFINEON

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Features

El K30H603 (código de pedido / parte comercial IKW30N60H3) de Infineon Technologies es un transistor bipolar de puerta aislada de canal N con diodo antiparalelo ultrarrápido integrado (High Speed DuoPack IGBT in Trench and Fieldstop Technology), perteneciente a la 3ª generación de conmutación de alta velocidad (High Speed 3 Series / TRENCHSTOP).

Diseñado para soportar una tensión máxima colector-emisor de 600 V con una corriente continua de colector de 30 A a Tc = 100 °C (y hasta 60 A a Tc = 25 °C), este componente destaca por su baja tensión de saturación (VCE(sat) típica de 1.95 V), mínima emisión de interferencias electromagnéticas (EMI) y diodo de recuperación suave antiparalelo de baja pérdida. Se presenta en un encapsulado de potencia estándar PG-TO-247-3 para montaje pasante (Through-Hole), con una temperatura máxima de unión extendida de hasta +175 °C.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies

Marcado en Componente: K30H603

Referencia Comercial Completa: IKW30N60H3 (IKW30N60H3FKSA1)

Familia / Serie: High Speed 3 (H3) / TRENCHSTOP Series

Tipo de Componente: Transistor IGBT discreto con diodo antiparalelo integrado (DuoPack)

Tipo de Encapsulado: PG-TO247-3 (TO-247 estándar de 3 pines pasantes)

Desglose de la Nomenclatura

K: Marcado de empaquetado Infineon

30: Corriente nominal de colector de 30 A (a Tc = 100 °C)

H: Serie de conmutación de alta velocidad (High Speed)

60: Clase de tensión asignada de 600 V

3: 3ª Generación de tecnología Trench & Fieldstop

Valores Máximos Absolutos (Ta = 25 °C)

Tensión Colector-Emisor (VCE): 600 V

Tensión Puerta-Emisor (VGE): +/- 20 V

Corriente Continua de Colector (IC):

A Tc = 25 °C: 60.0 A

A Tc = 100 °C: 30.0 A

Corriente Pulsada de Colector (ICpuls): 120.0 A (tp limitado por Tvjmax)

Corriente Directa Continua del Diodo (IF): 30.0 A (a Tc = 25 °C) / 15.0 A (a Tc = 100 °C)

Corriente Pulsada del Diodo (IFpuls): 120.0 A

Disipación Total de Potencia (Ptot): 187 W (a Tc = 25 °C) / 94 W (a Tc = 100 °C)

Tiempo de Resistencia a Cortocircuito (tSC): 5 µs (a VGE = 15 V, VCC <= 400 V, Tvj <= 150 °C)

Características Eléctricas Estáticas (Tvj = 25 °C)

Tensión de Ruptura Colector-Emisor (V(BR)CES): Mín. 600 V (VGE = 0 V, IC = 2.0 mA)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):

Típico: 1.95 V (a VGE = 15 V, IC = 30 A, Tvj = 25 °C)

Máximo: 2.40 V

A Tvj = 175 °C: 2.50 V (típico)

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 4.1 V a 5.7 V (típico 5.1 V a IC = 0.43 mA, VCE = VGE)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típico 1.65 V / Máx. 2.05 V (IF = 15 A, Tvj = 25 °C)

Corriente de Corte de Colector (ICES): Máx. 40 µA (a VCE = 600 V, VGE = 0 V)

Corriente de Fuga Puerta-Emisor (IGES): Máx. 100 nA (a VCE = 0 V, VGE = 20 V)

Transconductancia Directa (gfs): Típico 16.0 S (VCE = 20 V, IC = 30 A)

Características Dinámicas y Conmutación

Capacitancia de Entrada (Cies): Típico 1630 pF (VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz)

Capacitancia de Salida (Coes): Típico 107 pF

Capacitancia de Transferencia Inversa (Cres): Típico 50 pF

Carga Total de Puerta (QG): Típico 165 nC (VCC = 480 V, IC = 30 A, VGE = 15 V)

Energía de Apagado (Eoff): Típico 0.44 mJ

Energía Total de Conmutación (Ets): Típico 0.94 mJ

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa IGBT (Rth(j-c)): Máx. 0.80 K/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa Diodo (Rth(j-c)): Máx. 1.90 K/W

Rango de Temperatura de Unión en Operación (Tvj): -40 °C a +175 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Disposición de Terminales (Pinout TO-247):

Pin 1: Puerta (Gate - G)

Pin 2: Colector (Collector - C)

Pin 3: Emisor (Emitter - E)

Par de Apriete de Montaje (Tornillo M3): Máx. 0.6 Nm

Normativas: Conforme a estándar JEDEC, libre de plomo (Pb-free) y cumplimiento RoHS

Aplications

Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI / UPS).

Fuentes e inversores para máquinas de soldadura por arco (Welding inverters).

Convertidores de potencia con alta frecuencia de conmutación (20 kHz a 60 kHz).

Inversores solares fotovoltaicos y etapas de corrección del factor de potencia (PFC).

Cargadores de baterías y convertidores DC-DC industriales de alta eficiencia.

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Specific References

MPN
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