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SKT1200/14E

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SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE

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DatasheetSKT1200/14E

1200A/1400V/1U

SEMIKRON

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Alternativas del producto : SKT1200/18E ST1230C18K0L

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Features

El SKT1200/14E es un tiristor de control de fase de gran potencia (SCR) de grado industrial fabricado por la firma alemana Semikron. Este semiconductor está diseñado en un encapsulado hermético tipo cápsula o disco (press-pack), una arquitectura que carece de conexiones internas soldadas y que depende exclusivamente de una fuerte presión mecánica externa para garantizar el contacto.

Al ser prensado entre bloques disipadores, permite una refrigeración sumamente eficiente por ambas caras (double-side cooling). Pertenece a la serie E de alta tensión, lo que lo convierte en un componente extremadamente robusto, ideal para controlar, rectificar y conmutar corrientes masivas en aplicaciones pesadas de la red eléctrica industrial.

Parámetros Eléctricos Importantes

Este modelo ofrece un rango de bloqueo de voltaje intermedio y seguro, ideal para operar en líneas comerciales trifásicas con márgenes amplios contra transitorios:

Voltaje Reverso Máximo Repetitivo (Vrrm) y de Bloqueo Directo (Vdrm): 1400 Voltios (V) (indicado por el código 14 en su nomenclatura). Es el límite de tensión que el tiristor puede soportar en estado de apagado sin sufrir una ruptura dieléctrica.

Corriente Media en Estado de Conducción (It av): 1200 Amperios (A) operando a una temperatura de carcasa controlada de 85 °C (asociado al código 1200).

Corriente RMS en Estado de Conducción (It rms): Hasta 2300 Amperios (A) bajo condiciones óptimas de disipación térmica a doble cara.

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (Itsm): Capacidad para resistir un pulso transitorio de cortocircuito masivo de hasta 24,500 Amperios (24.5 kA) en un intervalo de 10 milisegundos (a 50 Hz).

Velocidad Crítica de Elevación de Voltaje (dv/dt): 1000 Voltios por microsegundo, proporcionando una excelente inmunidad contra disparos involuntarios provocados por armónicos, ruidos o picos bruscos en la línea.

Velocidad Crítica de Elevación de Corriente (di/dt): 200 Amperios por microsegundo en el momento del encendido (cebado).

Corriente de Disparo de Compuerta Mínima (Igt): Hasta 250 miliamperios (mA) a una temperatura ambiente de 25 °C para garantizar el encendido completo de la oblea de silicio.

Dimensiones Físicas y Montaje Mecánico

El diseño plano tipo press-pack maximiza la superficie útil de contacto para reducir al mínimo la resistencia eléctrica de paso y optimizar la transferencia de calor:

Tipo de Encapsulado: Cápsula cerámica hermética para montaje por presión (Estándar de carcasa Semikron: TO-200AD o similar).

Diámetro Total Exterior: Aproximadamente 73 a 75 milímetros (mm).

Diámetro de las Superficies de Contacto Metálicas (Ánodo/Cátodo): Cerca de 47 a 50 mm.

Espesor o Altura Total del Disco: Aproximadamente 26 mm.

Fuerza de Sujeción Mecánica Requerida: Para evitar la fatiga por expansión térmica y garantizar la conductividad, debe aplicarse una fuerza de compresión externa calibrada mediante abrazaderas pesadas (clamps) de entre 22 y 28 kilonewtons (kN) (lo que equivale a aplicar entre 2.2 y 2.8 toneladas de presión).

Conexiones e Interfaz de Control

La distribución interna está diseñada para propagar la energía de forma radial y uniforme, impidiendo fallas por concentración térmica localizada:

Estructura Multicapa de Silicio: Oblea monolítica de silicio de gran diámetro con una disposición clásica de cuatro capas semiconductoras dopadas alternadamente (P-N-P-N).

Terminales de Potencia Principales: Las dos caras circulares planas de metal pulido del encapsulado exterior actúan directamente como el Ánodo y el Cátodo. Las uniones con el circuito de potencia se realizan prensando estas caras directamente contra barras colectoras de cobre lisas.

Conexión de Control (Compuerta/Gate): Dispone de un cable flexible delgado con terminal tipo faston o un pin metálico ubicado en la banda aislante de cerámica central. Internamente cuenta con una geometría de compuerta amplificadora (amplifying gate) que aprovecha la propia corriente de la línea de fuerza para expandir la conducción por todo el silicio en pocos microsegundos.

Aplications

Debido a su alta capacidad de corriente (1200 A continuos) y voltaje de bloqueo de 1400 V, el SKT1200/14E se emplea en entornos industriales exigentes:

Rectificadores Industriales Controlados (Puentes de Tiristores): Conversión de corriente alterna a corriente directa masiva en subestaciones de soldadura a gran escala, plantas de electrólisis química y sistemas de tracción eléctrica.

Arrancadores Suaves de Motores (Soft Starters): Control de arranque y frenado suave de motores trifásicos gigantescos utilizados en la industria minera, molinos de cemento, bandas transportadoras pesadas y estaciones de bombeo de agua.

Controladores de Velocidad para Motores de Corriente Directa (DC Drives): Regulación precisa de velocidad y torque para motores de gran caballaje en trenes de laminación de acero y plantas papeleras.

Sistemas de Calefacción por Inducción Electromagnética: Regulación del paso de energía en hornos de fundición de metales y tratamientos térmicos industriales.

Interruptores de Estado Sólido de Corriente Alterna: Reemplazo de contactores electromecánicos de gran tamaño para conmutar de forma rápida y sin arcos eléctricos cargas masivas en la red industrial.

Semikron Phase Control SCRs, SKT1200 Series

Semikron

SKT1200/14E

SCR, TO-200AD, 1400V, 1200A ; Package Style; TO-200AD

Vrrm (volts); 1400 Volts

Vdrm (volts); 1400 Volts

It (rms) Amps; 2800 Amps

It (avg) Amps; 1200 Amps

Itsm Amps; 30000 Amps

di/dt (A/microseconds); 125

dv/dt (V/microseconds); 1000

I2T@50Hz (A2Sec); 4500000

Vtm (volts); 1.65 Volts

tq (microseconds); 250 MicroSeconds

Irrm Peak (mA); 100 MilliAmps

Idrm Peak (mA); 100 MilliAmps

Igt (mA); 250 MilliAmps

Vgt (volts); 3 Volts

Puck Size (h x dia.) in.; 1x3

Junction Temp.; 257 Degrees F

Mounting Force; 22~25 kN

RoHS; Yes

Diag. No.; SEKG_SCR_DIAG_B14

SEMIKRON
SKT1200/14E

Referencias específicas

MPN
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