MBR10200FT

El MBR10200FT de Taiwan Semiconductor es un diodo rectificador Schottky de alta potencia y alta tensión, diseñado principalmente para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores CC-CC y circuitos de protección por polaridad inversa.

Especificaciones Eléctricas Principales

Tecnología: Diodo de barrera Schottky (Schottky Barrier Rectifier).

Tensión Inversa Máxima (Vrrm): 200 V.

Corriente Directa Máxima (If): 10 A.

Corriente de Pico de Salida (Ifsm): 150 A (onda senoidal de 8.3 ms).

Caída de Tensión Directa (Vf): Típicamente entre 0.80 V y 0.90 V (a If = 10 A y Ta = 25 °C), lo que minimiza la disipación de calor.

Corriente de Fuga Inversa (Ir): Muy baja (aprox. 0.1 mA a 0.5 mA máx. a tensión nominal).

Encapsulado y Características Físicas

Tipo de Encapsulado: ITO-220AC / TO-220AC de 2 pines (la variante F / FT suele indicar encapsulado completamente aislado Full-Pack de plástico con alta rigidez dieléctrica).

Aislamiento Eléctrico: La carcasa plástica aislada elimina la necesidad de colocar una lámina de mica aislante al montarlo sobre un disipador de calor metálico.

Disipación Térmica: Alta eficiencia en la transferencia de calor directa hacia la placa posterior.

Rango de Temperatura de Operación: -55 °C a +175 °C.

Ventajas Clave

Alta Eficiencia: Baja caída de voltaje directa que reduce significativamente las pérdidas por conducción.

Conmutación Ultra Rápida: Tiempo de recuperación inversa (trr) prácticamente despreciable, ideal para frecuencias de conmutación elevadas.

Conformidad: Cumple con la normativa RoHS y está libre de halógenos.

Rectificación Secundaria: En fuentes de alimentación conmutadas (ATX, industriales y adaptadores).

Inversores y Convertidores CC-CC: Etapas de salida de alta frecuencia.

Diodo de Rueda Libre (Freewheeling): Protección contra picos inductivos en relés y motores.

Sistemas Solares y Baterías: Protección contra corriente inversa y bloqueo de descarga.