IGBT - IPM
Última actualización 2021-12-16 14:51:29
Datasheet6MBI75S120-01
2.7A/520V/1U
No Identificado
Delivery time :
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N-Channel Power MOSFET
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt capability
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
Very good manufacturing repeatability
Improved ESD capability
Applications
Switching
Références spécifiques
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6MBI75S120-01
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