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GT25J101
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
GT25J10125A/600V/1U
No Identificado
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Features
SILICON N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR
High Input Impedance
High Speed : tf=0.35us (Max)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=4.0V (Max)
Enhancement-Mode
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Miscellaneous * Semiconductor
Miscellaneous
GT25J101
Semiconductor
GT25J101
Références spécifiques
- MPN
- GT25J101
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